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1. (WO2018138174) LIAISON PAR SOUDURE ASSISTÉE PAR LASER D'UN DÉTECTEUR À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ À CONVERSION DIRECTE
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N° de publication : WO/2018/138174 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/051765
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 25.01.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
DETECTION TECHNOLOGY OY [FI/FI]; Elektroniikkatie 10 90590 Oulu, FI
Inventeurs :
HEIKKINEN, Petteri; FI
JOHANSSON, Mikael; FI
Mandataire :
PAPULA OY; P.O. Box 981 00101 Helsinki, FI
Données relatives à la priorité :
17153476.127.01.2017EP
Titre (EN) LASER ASSISTED SOLDER BONDING OF DIRECT CONVERSION COMPOUND SEMICONDUCTOR DETECTOR
(FR) LIAISON PAR SOUDURE ASSISTÉE PAR LASER D'UN DÉTECTEUR À SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ À CONVERSION DIRECTE
Abrégé :
(EN) In an embodiment, a method comprises:configuring a direct conversion compound semiconductor sensor over a first surface of a readout integrated circuit, IC, comprising two surfaces, each surface comprising solder material on the surface; illuminating the solder material with an infra-red laser such that the solder material on the readout IC melts and forms solder joints between the readout IC and the direct conversion compound semiconductor sensor; configuring a substrate over a second surface of the readout IC comprising solder material; and illuminating the solder material of the second surface with the infra-red laser such that the solder material on the readout IC melts and electrically connects the readout IC with the substrate. In other embodiments, a high frequency radiation detector and an imaging apparatus are discussed.
(FR) Dans un mode de réalisation de la présente invention, un procédé consiste : à configurer un capteur à semi-conducteur composé à conversion directe sur une première surface d'un circuit intégré de lecture, CI, comprenant deux surfaces, chaque surface comprenant un matériau de soudure sur la surface ; à éclairer le matériau de soudure avec un laser infrarouge de telle sorte que le matériau de soudure sur le CI de lecture fond et forme des joints de soudure entre le CI de lecture et le capteur à semi-conducteur composé à conversion directe ; à configurer un substrat sur une seconde surface du CI de lecture comprenant un matériau de soudure ; et à éclairer le matériau de soudure de la seconde surface avec le laser infrarouge de telle sorte que le matériau de soudure sur le CI de lecture fond et connecte électriquement le CI de lecture au substrat. Dans d'autres modes de réalisation, l'invention concerne un détecteur de rayonnement haute fréquence et un appareil d'imagerie.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)