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1. (WO2018138162) PROCÉDÉ DE SÉLECTION DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES
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N° de publication : WO/2018/138162 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/051747
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 24.01.2018
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
RICHTER, Daniel; DE
PETERSEN, Gunnar; DE
WAGNER, Konrad; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 101 536.126.01.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR SELECTING SEMICONDUCTOR CHIPS
(FR) PROCÉDÉ DE SÉLECTION DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES
(DE) VERFAHREN ZUM SELEKTIEREN VON HALBLEITERCHIPS
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for selecting semiconductor chips (100), wherein A) the semiconductor chips (100) are provided in a composite (10), B) a firmly bonded, mechanical first connection is produced between the semiconductor chips (100) and a carrier film (500), C) the semiconductor chips (100) are separated, wherein the carrier film (500) mechanically connects the semiconductor chips (100) to each other after separating, D) the first connection between some separated semiconductor chips (100) and the carrier film (500) is selectively weakened, E) the semiconductor chips (100) of which the first connection is selectively weakened are removed from the carrier film (500).
(FR) L’invention concerne un procédé de sélection de puces semi-conductrices (100) selon lequel A) les puces semi-conductrices (100) sont fournies en un ensemble (10), B) une première liaison mécanique est produite entre les puces semi-conductrices (100) et un film de support (500) par liaison de matière, C) les puces semi-conductrices (100) sont séparées, le film de support (500) liant mécaniquement les puces semi-conductrices (100) les unes aux autres après la séparation, D) la première liaison entre plusieurs puces semi-conductrices individuelles (100) et le film de support (500) est affaiblie sélectivement, E) les puces semi-conductrices (100) dont la première liaison est affaiblie sélectivement sont retirées du film de support (500).
(DE) Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips (100), bei dem A) die Halbleiterchips (100) in einem Verbund (10) bereitgestellt werden, B) eine Stoffschlüssige, mechanische erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips (100) und einer Trägerfolie (500) erzeugt wird, C) die Halbleiterchips (100) vereinzelt werden, wobei die Trägerfolie (500) die Halbleiterchips (100) nach dem Vereinzeln mechanisch miteinander verbindet, D) die erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500) selektiv geschwächt wird, E) die Halbleiterchips (100), deren erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie (500) entfernt werden.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)