Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018138080) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/138080    International Application No.:    PCT/EP2018/051568
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Jan 24 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/08
H01L 33/18
H01L 33/42
H01L 33/40
H01L 33/14
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: VARGHESE, Tansen
Title: COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un composant optoélectronique (20) à semi-conducteur comportant une multiplicité de régions actives (10), les régions actives (10) étant disposées de façon à être espacées les unes par rapport aux autres, comprenant une région (11) de cœur, une couche active (12) recouvrant la région (11) de cœur et une couche (13) de couverture qui recouvre la couche active (12). Chaque région active (10) est dotée d'une couche (4) d'étalement de courant recouvrant au moins partiellement des parois latérales (15) de la région active (10) considérée, chacune des couches (4) d'étalement de courant comportant un oxyde conducteur transparent et étant en contact électrique avec la couche (13) de couverture. Une couche métallique (6) jouxte directement une partie des régions actives (10) et une partie des couches (4) d'étalement de courant, la couche métallique (6) interconnectant électriquement les couches (4) d'étalement de courant des régions actives (10), et la couche métallique (6) comportant un métal qui est apte à former un contact ohmique avec les couches (4) d'étalement de courant et qui n'est pas apte à former un contact ohmique avec les régions (13) de cœur. L'invention concerne en outre un procédé de production du composant optoélectronique (20) à semi-conducteur.