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1. (WO2018137673) MATÉRIAU CRISTALLIN DOPÉ À L'OXYDE DE GALLIUM, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET APPLICATION

Pub. No.:    WO/2018/137673    International Application No.:    PCT/CN2018/074058
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Jan 25 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/16
C30B 13/00
C30B 15/00
H01L 31/032
Applicants: SHANGHAI INSTITUTE OF OPTICS AND FINE MECHANICS CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
中国科学院上海光学精密机械研究所
Inventors: XIA, Changtai
夏长泰
SAI, Qinglin
赛青林
ZHOU, Wei
周威
QI, Hongji
齐红基
Title: MATÉRIAU CRISTALLIN DOPÉ À L'OXYDE DE GALLIUM, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET APPLICATION
Abstract:
L'invention concerne un élément du groupe VB dopé avec un matériau cristallin d'oxyde de β-gallium, son procédé de préparation et application. La série dopée avec le matériau cristallin de β-Ga2O3est monoclinique, le groupe spatial est C2/m, la résistivité est dans la plage de 2,0×10-4 à 1×104 Ω·cm, et/ou la concentration de porteurs est dans la plage de 5×1012 à 7×1020 /cm3. Le procédé de préparation comprend les étapes suivantes : mélange de M2O5 et Ga2O3 à une pureté de 4N ou plus dans un rapport molaire de (0,0000001-0,01):(0,999999999-0,99); puis mise en œuvre d'une croissance cristalline. L'invention permet de préparer un matériau cristallin de β-Ga2O3 ayant une conductivité élevée et des caractéristiques de conductivité de type n par des procédés classiques, ledit matériau cristallin servant de base pour des applications à des dispositifs électroniques électriques, des dispositifs optoélectroniques, des photocatalyseurs ou des substrats conducteurs.