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1. (WO2018137556) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/137556 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/073328
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 19.01.2018
CIB :
H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538
la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
Déposants :
比亚迪股份有限公司 BYD COMPANY LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市 坪山新区比亚迪路3009号 No. 3009, BYD Road, Pingshan Shenzhen, Guangdong 518118, CN
Inventeurs :
李慧 LI, Hui; CN
杨胜松 YANG, Shengsong; CN
廖雯祺 LIAO, Wenqi; CN
杨钦耀 YANG, Qinyao; CN
李艳 LI, Yan; CN
张建利 ZHANG, Jianli; CN
曾秋莲 ZENG, Qiulian; CN
Mandataire :
北京集佳知识产权代理有限公司 UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 中国北京市 朝阳区建国门外大街22号赛特广场7层 7th Floor, Scitech Place No. 22, Jian Guo Men Wai Ave. Chao Yang District Beijing 100004, CN
Données relatives à la priorité :
201710063230.624.01.2017CN
Titre (EN) POWER MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) MODULE DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种功率模块及其制造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed are a power module and a manufacturing method therefor. The power module comprises: an insulating medium substrate (10), comprising a first conductive layer (12) and a first insulation layer (11) arranged on the first conductive layer (12), with the first insulation layer (11) being provided with a first conductive path (14); a second insulation layer (40), with the second insulation layer (40) being provided with a second conductive path (42); a graphical second conductive layer (50); and at least one power semiconductor chip (20) embedded between the first insulation layer (11) and the second insulation layer (40), wherein the power semiconductor chip (20) forms an electric connection with the first conductive layer (12) by means of the first conductive path (14), and forms an electric connection with the second conductive layer (50) by means of the second conductive path (42). Packaging is achieved without opening a packaging mould, thus saving on production costs. In addition, the power semiconductor chip (20) is provided with through holes in the insulation layer and is filled with a conductive material, so as to realize an electric connection with the conductive layer provided above, such that the volume of the module is reduced, in order to facilitate miniaturization of the module.
(FR) La présente invention concerne un module de puissance et son procédé de fabrication. Le module de puissance comprend : un substrat de milieu isolant (10), comprenant une première couche conductrice (12) et une première couche d'isolation (11) disposée sur la première couche conductrice (12), la première couche d'isolation (11) comprenant un premier trajet conducteur (14); une seconde couche d'isolation (40), la seconde couche d'isolation (40) comprenant un second trajet conducteur (42); une seconde couche conductrice graphique (50); et au moins une puce semiconductrice de puissance (20) intégrée entre la première couche d'isolation (11) et la seconde couche d'isolation (40), la puce semiconductrice de puissance (20) forme une connexion électrique avec la première couche conductrice (12) au moyen du premier trajet conducteur (14), et forme une connexion électrique avec la seconde couche conductrice (50) au moyen du second trajet conducteur (42). L'emballage est réalisé sans ouvrir un moule d'emballage, ce qui permet d'économiser en coûts de production. De plus, la puce semiconductrice de puissance (20) comprend des trous traversants dans la couche d'isolation et est remplie d'un matériau conducteur, de manière à réaliser une connexion électrique avec la couche conductrice fournie ci-dessus, de sorte que le volume du module soit réduit, afin de faciliter la miniaturisation du module.
(ZH) 一种功率模块及其制造方法,功率模块包括:绝缘介质基板(10),包括第一导电层(12)和设于所述第一导电层(12)之上的第一绝缘层(11),所述第一绝缘层(11)开设有第一导电路径(14);第二绝缘层(40),所述第二绝缘层(40)开设有第二导电路径(42);图形化的第二导电层(50);至少一个功率半导体芯片(20),嵌设于所述第一绝缘层(11)和第二绝缘层(40)之间;其中,所述功率半导体芯片(20)通过所述第一导电路径(14)与所述第一导电层(12)形成电气连接,且通过所述第二导电路径(42)与所述第二导电层(50)形成电气连接。封装无需开塑封模,节省了生产成本;另外,功率半导体芯片(20)通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接,减小了模块的体积,有利于模块小型化。
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Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)