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1. (WO2018137336) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/137336    International Application No.:    PCT/CN2017/097843
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Aug 18 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 33/04
H01L 33/14
Applicants: XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.
厦门三安光电有限公司
Inventors: CHEN, Bing-Yang
陈秉扬
CHANG, Chung-Ying
张中英
LO, Yun-Ming
罗云明
HUANG, Wen-Chia
黄文嘉
CHEN, Fu-Chuan
陈福全
YEH, Meng-Hsin
叶孟欣
Title: DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne une diode électroluminescente à base de nitrure de gallium et son procédé de fabrication, la structure comprenant séquentiellement : une couche (120) de nitrure de type n, une couche active (140), une couche (150) de blocage d'électrons de super-réseau Alx1In(1-x1)N/Inx2Ga(1-x2)N, une couche (160) de nitrure de type p ; une surface de la couche active (140) étant disposée par-dessus, avec un défaut de type V et une zone plane, qui est reliée au défaut de type V, la couche de blocage d'électrons Alx1In(1-x1)N/Inx2Ga(1-x2)N est formée au niveau de la zone plane et s'étend jusqu'à une zone de paroi latérale du défaut de type V ; lors de l'injection d'un courant, des trous sont injectés dans la couche active (140) à partir d'une position du défaut de type V, et les électrons sont bloqués au niveau de la zone plane, de sorte que ces derniers restent au niveau de la couche active (140).