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1. (WO2018137224) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE TRANCHE ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION
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N° de publication : WO/2018/137224 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/072710
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 25.01.2017
CIB :
H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
Déposants :
深圳市汇顶科技股份有限公司 SHENZHEN GOODIX TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 福田保税区腾飞工业大厦B座13层 Floor 13, Phase B Tengfei Industrial Building, Futian Free Trade Zone Shenzhen, Guangdong 518045, CN
Inventeurs :
罗军平 LUO, Junping; CN
Mandataire :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) SHANGHAI CHENHAO INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM GENERAL PARTNERSHIP; 中国上海市 黄浦区制造局路787号二幢202B室 Room 202B, Building 2 787 Zhizaoju Road, Huangpu District Shanghai 200011, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WAFER ENCAPSULATION STRUCTURE AND ENCAPSULATION METHOD
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE TRANCHE ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION
(ZH) 晶片封装结构及封装方法
Abrégé :
(EN) Provided are a wafer encapsulation structure and encapsulation method. The wafer encapsulation structure comprises: a wafer (1), a carrier (2), an adhesive film (3) and a plastic encapsulation body (4), wherein the adhesive film (3) is disposed on a bottom surface of the wafer (1) and the thickness of the adhesive film (3) is greater than or equal to 40 microns; the wafer (1) is disposed on the carrier (2) via the adhesive film (3); and the plastic encapsulation body (4) is disposed on the carrier (2) and covers a top surface and a plurality of side surfaces of the wafer (1). The wafer encapsulation method is also provided. With regard to the prior art, the overall impact resistance capability of the wafer can be improved, and the structure of the carrier does not need to be changed, thus saving on die sinking costs; and the encapsulation structure is simple and can easily achieve mass production.
(FR) L'invention concerne une structure d'encapsulation de tranche et un procédé d'encapsulation. La structure d'encapsulation de tranche comprend : une tranche (1), un support (2), un film adhésif (3) et un corps d'encapsulation en plastique (4), le film adhésif (3) étant disposé sur une surface inférieure de la tranche (1) et l'épaisseur du film adhésif (3) étant supérieure ou égale à 40 microns; la tranche (1) étant disposée sur le support (2) par l'intermédiaire du film adhésif (3); et le corps d'encapsulation en plastique (4) étant disposé sur le support (2) et recouvrant une surface supérieure et une pluralité de surfaces latérales de la tranche (1). L'invention concerne également un procédé d'encapsulation de tranche. En ce qui concerne l'état de la technique, la capacité globale de résistance aux chocs de la tranche peut être améliorée, et la structure du support n'a pas besoin d'être changée, ce qui permet d'économiser des coûts de fabrication de matrice; et la structure d'encapsulation est simple et peut facilement réaliser une production de masse.
(ZH) 提供了一种晶片封装结构及封装方法。晶片封装结构包括:晶片(1)、载体(2)、粘结膜(3)以及塑封体(4);粘结膜(3)设置在晶片(1)的底面上,粘结膜(3)的厚度大于或等于40微米;晶片(1)通过粘结膜(3)设置在载体(2)上;塑封体(4)设置在载体(2)上,且包覆晶片(1)的顶面及多个侧面。还提供了一种晶片封装方法,现对于现有技术,可以提高晶片整体的抗冲击能力,而且无需改变载体的结构,省去开模的费用,且封装结构简单,易于量化生产。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)