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1. (WO2018137048) PASSIVATION DE CONTACT POUR OPTOÉLECTRONIQUE EN PÉROVSKITE
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N° de publication : WO/2018/137048 N° de la demande internationale : PCT/CA2018/050109
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
H01L 31/04 (2014.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
Déposants :
TAN, Hairen [CN/CA]; CA
LAN, Xinzheng [CN/US]; US
YANG, Zhenyu [CN/CA]; CA
HOOGLAND, Sjoerd [NL/CA]; CA
SARGENT, Edward [CA/CA]; CA
Inventeurs :
TAN, Hairen; CA
LAN, Xinzheng; US
YANG, Zhenyu; CA
HOOGLAND, Sjoerd; CA
SARGENT, Edward; CA
Mandataire :
HILL & SCHUMACHER; 264 Avenue Road Toronto, Ontario M4V 2G7, CA
Données relatives à la priorité :
62/451,93830.01.2017US
Titre (EN) CONTACT PASSIVATION FOR PEROVSKITE OPTOELECTRONICS
(FR) PASSIVATION DE CONTACT POUR OPTOÉLECTRONIQUE EN PÉROVSKITE
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are perovskite based optoelectronic devices made entirely via solution-processing at low temperatures (<150°C) which provide for simple manufacturing, compatibility with flexible substrates, and perovskite-based tandem devices. These perovskite based optoelectronic devices are produced using an electron transport layer on which the perovskite layer is formed which is passivated using a ligand selected to reduce electron-hole recombination at the interface between the electron transport layer and the perovskite layer.
(FR) L'invention concerne des dispositifs optoélectroniques à base de pérovskite fabriqués entièrement par traitement en solution à basses températures (< 150 °C) qui permettent une fabrication simple, une compatibilité avec des substrats souples, et des dispositifs en tandem à base de pérovskite. Ces dispositifs optoélectroniques à base de pérovskite sont produits en utilisant une couche de transport d'électrons sur laquelle est formée la couche de pérovskite qui est passivée grâce à un ligand choisi pour réduire la recombinaison électron-trou au niveau de l'interface entre la couche de transport d'électrons et la couche de pérovskite.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)