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1. (WO2018131215) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA À COUPLAGE INDUCTIF
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N° de publication : WO/2018/131215 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034068
Date de publication : 19.07.2018 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
C23F 4/00 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
4
Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe C23F1/ ou C23F3/149
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
山田 将貴 YAMADA Masaki; JP
Mandataire :
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND INDUCTIVELY COUPLED PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA À COUPLAGE INDUCTIF
(JA) 磁気トンネル接合素子の製造方法および誘導結合型プラズマ処理装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides a method for manufacturing a magnetic tunnel junction element, in which characteristic degradation caused by hydrogen ions can be suppressed and to which an RIE process ensuring an etching shape is applied. In this method, a multilayer film having a magnetic film and an oxide film is formed, wherein the thickness of the magnetic film is no more than 2 nm, and the magnetic film and the oxide film have an interface in the film surface direction; a patterned mask layer is formed on the multilayer film; and a mixed gas of a hydrogen gas and a nitrogen gas is used as a reaction gas to perform etching on the multilayer film on which the mask layer is formed, wherein the ratio of the flow rate of the hydrogen gas to the flow rate of the mixed gas is 50% or less.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de jonction tunnel magnétique, dans lequel une dégradation caractéristique provoquée par des ions hydrogène peut être supprimée et auquel est appliqué un processus RIE assurant une forme de gravure. Dans ce procédé, un film multicouche comportant un film magnétique et un film d'oxyde est formé, l'épaisseur du film magnétique n'étant pas supérieure à 2 nm, et le film magnétique et le film d'oxyde comportant une interface dans la direction de la surface du film; une couche de masque à motifs est formée sur le film multicouche; et un gaz mixte de gaz d'hydrogène et de gaz d'azote est utilisé comme gaz de réaction pour effectuer une gravure sur le film multicouche sur lequel est formée la couche de masque, le rapport du débit du gaz hydrogène au débit du gaz mixte étant inférieur ou égal à 50 %.
(JA) 水素イオンによる特性劣化を抑制し、かつ、エッチング形状を確保可能なRIE加工を適用した磁気トンネル接合素子の製造方法を提供する。磁性膜と酸化膜とを有し、磁性膜の厚さが2nm以下であり、かつ磁性膜と酸化膜とが膜面方向で界面を有する多層膜を生成し、多層膜上にパターニングされたマスク層を形成し、マスク層が形成された多層膜に対して、反応ガスとして水素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いてエッチングを行い、混合ガスの流量に対する水素ガスの流量の比が50%以下とされる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)