Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018131144) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/131144    International Application No.:    PCT/JP2017/001079
Publication Date: Fri Jul 20 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 14 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/288
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKATA, Yosuke
中田 洋輔
AKAO, Shinya
赤尾 真哉
HARADA, Kenji
原田 健司
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
Un substrat semi-conducteur (1) a une surface avant, et une surface arrière sur le côté arrière de la surface avant. Un câblage de grille (2) et des première et seconde électrodes de surface avant (3, 4) sont formés sur la surface avant du substrat semi-conducteur (1). Les première et seconde électrodes de surface avant (3, 4) sont séparées l'une de l'autre au moyen du câblage de grille (2). Un film isolant (7) recouvre le câblage de grille (2). Sur le câblage de grille (2), une couche d'électrode (8) est formée sur le film isolant (7) et les première et seconde électrodes de surface avant (3, 4). Une électrode de surface arrière (9) est formée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur (1). Une première électrode plaquée (10) est formée sur la couche d'électrode (8). Une seconde électrode plaquée (11) est formée sur l'électrode de surface arrière (9).