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1. (WO2018130078) PROCÉDÉ DE COULÉE EN LINGOTIÈRE, DE FUSION ET DE CRISTALLISATION DE GERME QUASI-MONOCRISTALLIN DE MANIÈRE CONCAVE
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N° de publication : WO/2018/130078 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/119326
Date de publication : 19.07.2018 Date de dépôt international : 28.12.2017
CIB :
C30B 11/04 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
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en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
Déposants :
南通大学 NANTONG UNIVERSITY [CN/CN]; 中国江苏省南通市 啬园路9号 No. 9, Qiangyuan Road Nantong, Jiangsu 226000, CN
Inventeurs :
王强 WANG, Qiang; CN
尤敏 YOU, Min; CN
陈云 CHEN, Yun; CN
邓洁 DENG, Jie; CN
朱海峰 ZHU, Haifeng; CN
章国安 ZHANG, Guoan; CN
Mandataire :
北京轻创知识产权代理有限公司 KEYCOM PARTNERS, P. C.; 中国北京市 海淀区知春路7号致真大厦A座1404/1405 1404/1405, Block A, Truth Plaza No. 7, Zhichun Road, Haidian District Beijing 100191, CN
Données relatives à la priorité :
201710019679.212.01.2017CN
Titre (EN) PROCESS FOR INGOT CASTING, MELTING, AND CRYSTALLIZATION OF MONO-LIKE SEED CRYSTAL IN CONCAVE FASHION
(FR) PROCÉDÉ DE COULÉE EN LINGOTIÈRE, DE FUSION ET DE CRISTALLISATION DE GERME QUASI-MONOCRISTALLIN DE MANIÈRE CONCAVE
(ZH) 一种凹陷式类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺
Abrégé :
(EN) Disclosed is a process for ingot casting, melting, and crystallization of a mono-like seed crystal in concave fashion. The process comprises the following steps: (1) a preparation and loading stage of a monocrystalline silicon seed crystal; (2) an ingot casting and melting stage of the monocrystalline silicon seed crystal; and (3) a mono-like crystal growth stage. The present invention is characterized in that when the melt silicon material flows through a barrier layer from the top to the bottom, the melt silicon material would flow toward the center of the crucible along the concave angle of the crystal bricks. Thus, the present invention can avoid the phenomenon that due to the fact that heaters of the ingot casting furnace are located on the top and four walls of the crucible and the temperature at the crucible walls is high, melt silicon at the crucible walls flows down the crucible walls and contacts the seed crystal layer to make the seed crystal layer on the sides to be melt through. Moreover, the melt silicon flowing from the buffer layer to the center can increase the temperature at the crucible center, thereby avoiding the phenomenon that the seed crystal layer at the center is not melted. The invention adopts a cooling rate control process and optimizes the ingot casting process.
(FR) L'invention concerne un procédé de coulée en lingotière, de fusion et de cristallisation d'un germe quasi-monocristallin de manière concave. Le procédé comprend les étapes suivantes : (1) une étape de préparation et de chargement d'un germe de silicium monocristallin ; (2) une étape de coulée en lingotière et de fusion du germe de silicium monocristallin ; et (3) une étape de croissance de cristal quasi-monocristallin. La présente invention est caractérisée en ce que, lorsque le matériau de silicium fondu s'écoule à travers une couche barrière du haut vers le bas, le matériau de silicium fondu s'écoule vers le centre du creuset le long de l'angle concave des briques cristallines. Ainsi, la présente invention peut éviter le phénomène qui est dû au fait que des éléments chauffants du four de coulée en lingotière sont situés sur les parois supérieure et inférieure du creuset et que la température au niveau des parois du creuset est élevée, le silicium fondu au niveau des parois du creuset s'écoule vers le bas des parois du creuset et entre en contact avec la couche de germe pour amener la couche de germe sur les côtés à fondre à travers celui-ci. De plus, le silicium fondu s'écoulant de la couche tampon au centre peut augmenter la température au centre du creuset, ce qui permet d'éviter le phénomène selon lequel la couche de germe au centre n'est pas fondue. L'invention adopte un procédé de commande de vitesse de refroidissement et optimise le procédé de coulée en lingotière.
(ZH) 本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺,包括如下步骤:(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段;(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段;(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时,会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁,坩埚壁处的温度较高,导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动,接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时,缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度,避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象,采用了降温速率控制工艺,实现了铸锭工艺的优化。
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)