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1. (WO2018128797) CARBURE DE SILICIUM STABILISÉ ET HAUTEMENT DOPÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/128797 N° de la demande internationale : PCT/US2017/067189
Date de publication : 12.07.2018 Date de dépôt international : 19.12.2017
CIB :
C30B 23/02 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01)
Déposants : CREE, INC.[US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US
Inventeurs : POWELL, Adrian; US
BURK, Al; US
O'LOUGHLIN, Michael; US
Mandataire : WILLIAMSON, Dennis J.; US
Données relatives à la priorité :
15/398,18504.01.2017US
Titre (EN) STABILIZED, HIGH-DOPED SILICON CARBIDE
(FR) CARBURE DE SILICIUM STABILISÉ ET HAUTEMENT DOPÉ
Abrégé : front page image
(EN) Stabilized, high-doped silicon carbide is described. A silicon carbide crystal is grown on a substrate using chemical vapor deposition so that the silicon carbide crystal includes a dopant and the strain compensating component. The strain compensating component can be an isoelectronic element and/or an element with the same majority carrier type as the dopant. The silicon carbide crystal can then be cut into silicon carbide wafers. In some embodiments, the dopant is n-type and the strain compensating component is selected from a group comprising germanium, tin, arsenic, phosphorus, and combinations thereof. In some embodiments, the strain compensating component comprises germanium and the dopant is nitrogen.
(FR) L'invention concerne un carbure de silicium stabilisé, hautement dopé. Un cristal de carbure de silicium est amené à croître sur un substrat à l'aide d'un dépôt chimique en phase vapeur de telle sorte que le cristal de carbure de silicium comprend un dopant et un constituant de compensation de contrainte. Le constituant de compensation de contrainte peut être un élément isoélectronique et/ou un élément présentant le même type de support majoritaire que le dopant. Le cristal de carbure de silicium peut ensuite être découpé en tranches de carbure de silicium. Dans certains modes de réalisation, le dopant est de type n et le constituant de compensation de contrainte est choisi dans un groupe comprenant le germanium, l'étain, l'arsenic, le phosphore et des combinaisons correspondantes. Dans certains modes de réalisation, le constituant de compensation de contrainte comprend du germanium et le dopant est l'azote.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)