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1. (WO2018128419) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET BOÎTIER DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT LE COMPORTANT

Pub. No.:    WO/2018/128419    International Application No.:    PCT/KR2018/000186
Publication Date: Fri Jul 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jan 05 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/02
H01L 33/22
H01L 33/04
H01L 33/48
H01L 33/00
H01L 33/62
Applicants: LG INNOTEK CO., LTD.
엘지이노텍 주식회사
Inventors: NA, Jong Ho
나종호
KWON, Oh Min
권오민
SONG, June O
송준오
OH, Jeong Tak
오정탁
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET BOÎTIER DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT LE COMPORTANT
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur et un boîtier de dispositif électroluminescent le comprenant. Le dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation peut comprendre : une première couche semiconductrice; une seconde couche semiconductrice placée sur la première couche semiconductrice et comprenant des creux en V; une couche active placée sur la seconde couche semiconductrice; une troisième couche semiconductrice placée sur la couche active et ayant une bande interdite plus large que la couche active; une quatrième couche semiconductrice placée sur la troisième couche semiconductrice et ayant une bande interdite plus étroite que la troisième couche semiconductrice; et une cinquième couche semiconductrice placée sur la quatrième couche semiconductrice et ayant une bande interdite plus large que la quatrième couche semiconductrice, la troisième couche semiconductrice et la cinquième couche semiconductrice contenant chacune de l'aluminium comme ingrédient, et la cinquième couche semiconductrice ayant une bande interdite égale ou plus large que la troisième couche semiconductrice. Le dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation peut améliorer l'efficacité lumineuse en augmentant non seulement l'efficacité d'injection de trous par l'effet 2DHG, mais également en augmentant l'injection de porteuses qui sont injectées à travers les creux en V.