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1. (WO2018128088) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, SYSTÈME DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE
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N° de publication : WO/2018/128088 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/046021
Date de publication : 12.07.2018 Date de dépôt international : 21.12.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs :
相原 明徳 AIBARA, Meitoku; JP
河野 央 KAWANO, Hisashi; JP
伊藤 規宏 ITO, Norihiro; JP
緒方 信博 OGATA, Nobuhiro; JP
Mandataire :
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Données relatives à la priorité :
2017-00013804.01.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE CLEANING METHOD, SUBSTRATE CLEANING SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT, SYSTÈME DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
Abrégé :
(EN) A substrate cleaning method according to an embodiment comprises a film-forming-liquid supply step, a releasing-liquid supply step, and a dissolving-liquid supply step. In the film-forming-liquid supply step, a film-forming liquid, which includes a volatile component and serves to form a film on a substrate, is supplied to the substrate. In the releasing-liquid supply step, pure water as a releasing liquid for releasing the film from the substrate is supplied to the film formed by solidifying or curing the film-forming liquid on the substrate by volatilizing the volatile component. In the dissolving-liquid supply step, after the releasing-liquid supply step, a dissolving liquid for dissolving the film is supplied to the film. Further, in the releasing-liquid supply step, pure water as a releasing liquid is supplied to the film after supplying a mixed liquid of pure water and a liquid having a lower surface tension than pure water to the film.
(FR) Un mode de réalisation de l'invention concerne un procédé de nettoyage de substrat comprenant une étape d'alimentation en liquide filmogène, une étape d'alimentation en liquide de détachement et une étape d'alimentation en liquide dissolvant. Lors de l'étape d'alimentation en liquide filmogène, un liquide filmogène, qui comprend un composant volatil et sert à former un film sur un substrat, est amené jusqu'au substrat. Lors de l'étape d'alimentation en liquide de détachement, de l'eau pure, en tant que liquide de détachement destiné à détacher le film du substrat, est amenée jusqu'au film formé par solidification ou durcissement du liquide filmogène sur le substrat par volatilisation du composant volatil. Lors de l'étape d'alimentation en liquide dissolvant, après l'étape d'alimentation en liquide de détachement, un liquide dissolvant destiné à dissoudre le film est amené jusqu'au film. En outre, lors de l'étape d'alimentation en liquide de détachement, de l'eau pure en tant que liquide de détachement est amenée jusqu'au film après qu'un liquide constitué d'un mélange d'eau pure et d'un liquide présentant une tension superficielle inférieure à celle de l'eau pure ait été amené jusqu'au film.
(JA) 実施形態に係る基板洗浄方法は、成膜処理液供給工程と、剥離処理液供給工程と、溶解処理液供給工程とを含む。成膜処理液供給工程は、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を基板へ供給する。剥離処理液供給工程は、揮発成分が揮発することによって成膜処理液が基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して処理膜を基板から剥離させる剥離処理液としての純水を供給する。溶解処理液供給工程は、剥離処理液供給工程後、処理膜に対して処理膜を溶解させる溶解処理液を供給する。また、剥離処理液供給工程は、処理膜に対し、純水よりも表面張力が小さい液体と純水とを混合した混合液を供給した後で、剥離処理液としての純水を供給する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)