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1. (WO2018126669) CIRCUIT DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE, SUBSTRAT DE RÉSEAU, PANNEAU D'AFFICHAGE APPAREIL D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/126669 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/095766
Date de publication : 12.07.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01L 27/02 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 23/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
60
Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p.ex. écrans Faraday
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 ORDOS YUANSHENG OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; 中国内蒙古自治区鄂尔多斯市 东胜区鄂尔多斯装备制造基地科学大道37号 No. 37 Science Rd., Ordos Equipment Manufacturing Base, Dongsheng District Ordos, Inner Mongolia 017020, CN
Inventeurs :
任艳伟 REN, Yanwei; CN
徐敬义 XU, Jingyi; CN
张琨鹏 ZHANG, Kunpeng; CN
刘宇 LIU, Yu; CN
刘敏 LIU, Min; CN
田瑞英 TIAN, Ruiying; CN
Mandataire :
北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; 中国北京市 朝阳区慧忠路5号远大中心B座1802,1803,1805 1802, 1803, 1805 Tower B, Grand Place, No 5 Huizhong Road, Chaoyang District Beijing 100101, CN
Données relatives à la priorité :
201710005647.704.01.2017CN
Titre (EN) ELECTROSTATIC PROTECTION CIRCUIT, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE, SUBSTRAT DE RÉSEAU, PANNEAU D'AFFICHAGE APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 静电保护电路、阵列基板、显示面板及显示装置
Abrégé :
(EN) Provided are an electrostatic protection circuit, an array substrate, a display panel and a display apparatus. The electrostatic protection circuit is located in a peripheral region (a) of an array substrate, and comprises: a first ground wire (1) arranged on the same layer as a source electrode and a drain electrode of a thin film transistor located in a display region (b) of the array substrate, and a second ground wire (2) arranged on the same layer as a gate electrode of the thin film transistor, wherein the first ground wire (1), and a printed circuit board (3) arranged in the peripheral region (a) form a first loop, the first loop surrounds the display region (b); and the second ground wire (2) and the printed circuit board (3) form a second loop, and the second loop surrounds the display region (b). Since the two ground wires are respectively arranged on the same layer as the source and drain electrodes and the gate electrode of the thin film transistor located in the display region of the array substrate, no process for manufacturing the array substrate is added.
(FR) L'invention concerne un circuit de protection électrostatique, un substrat de réseau, un panneau d'affichage et un appareil d'affichage. Le circuit de protection électrostatique est situé dans une région périphérique (a) d'un substrat de réseau, et comprend : un premier fil de masse (1) disposé sur la même couche qu'une électrode de source et une électrode de drain d'un transistor à couches minces situé dans une région d'affichage (b) du substrat de réseau, et un second fil de masse (2) disposé sur la même couche qu'une électrode de grille du transistor à couches minces, le premier fil de masse (1), et une carte de circuit imprimé (3) disposée dans la région périphérique (a) forment une première boucle, la première boucle entoure la région d'affichage (b); et le second fil de masse (2) et la carte de circuit imprimé (3) forment une seconde boucle, et la seconde boucle entoure la région d'affichage (b). Etant donné que les deux fils de masse sont respectivement agencés sur la même couche que les électrodes de source et de drain et l'électrode de grille du transistor à couches minces situé dans la région d'affichage du substrat de réseau, aucun processus de fabrication du substrat de réseau n'est ajouté.
(ZH) 提供一种静电保护电路、阵列基板、显示面板及显示装置。静电保护电路位于阵列基板的外围区域(a)内,包括:与位于阵列基板的显示区域(b)内的薄膜晶体管中的源极和漏极同层设置的第一接地线(1)和与薄膜晶体管中的栅极同层设置的第二接地线(2),其中第一接地线(1)与设置在外围区域(a)内的印刷电路板(3)形成第一回路,第一回路包围显示区域(b),第二接地线(2)与印刷电路板(3)形成第二回路,第二回路包围显示区域(b)。由于两条接地线分别于位于阵列基板的显示区域内的薄膜晶体管中的源漏极和栅极同层设置,因此不会增加阵列基板的制作工艺。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)