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1. (WO2018125492) RÉDUCTION DE BRUIT DE TENSION DE RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE POUR CIRCUITS INTÉGRÉS
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N° de publication : WO/2018/125492 N° de la demande internationale : PCT/US2017/063717
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 29.11.2017
CIB :
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
HUANG, Jimmy Huat Since; MY
CAI, Xingjian; US
ONG, Paik Wen; MY
CHEN, Herh Nan; MY
JI, Yun; US
Mandataire :
WANG, Yuke; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
BRASK, Justin K.; US
COFIELD, Michael A.; US
COWGER, Graciela G.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
FORD, Stephen S.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
SULLIVAN, Stephen; US
WARD, Jonathan M.; US
YATES, Steven D.; US
Données relatives à la priorité :
PI 201670487829.12.2016MY
Titre (EN) VOLTAGE NOISE REDUCTION OF POWER DELIVERY NETWORKS FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) RÉDUCTION DE BRUIT DE TENSION DE RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE POUR CIRCUITS INTÉGRÉS
Abrégé :
(EN) An electronic apparatus and an electronic system may include a first power delivery network (PDN) and a second PDN. The first PDN may include a first inductor as a segment of a power rail of the first PDN, while the second PDN may include a second inductor as a segment of a power rail of the second PDN. The first inductor and the second inductor may form a magnetically coupled inductor. The magnetically coupled inductor may provide migrated impedance ZT to the first PDN induced by the magnetically coupled inductor. The migrated impedance ZT to the first PDN may help the first PDN to reduce its voltage noise. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil électronique et un système électronique qui peuvent comprendre un premier réseau de distribution d'énergie (PDN) et un second PDN. Le premier PDN peut comprendre un premier inducteur en tant que segment d'un rail d'alimentation du premier PDN, tandis que le second PDN peut comprendre un second inducteur en tant que segment d'un rail d'alimentation du second PDN. Le premier inducteur et le second inducteur peuvent former un inducteur couplé magnétiquement. L'inducteur couplé magnétiquement peut fournir une impédance migrée Z T au premier PDN induit par l'inducteur couplé magnétiquement. L'impedance migrée Z T au premier PDN peut aider l'aider à réduire son bruit de tension. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)