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1. (WO2018125491) CELLULE DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE NON DESTRUCTIVE

Pub. No.:    WO/2018/125491    International Application No.:    PCT/US2017/063716
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 30 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 14/00
Applicants: AUCMOS TECHNOLOGIES USA, INC.
YAN, Tianhong
Inventors: YAN, Tianhong
Title: CELLULE DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE NON DESTRUCTIVE
Abstract:
L'invention concerne une cellule FeSRAM qui comprend (a) des premier et second onduleurs entre une tension d'alimentation électrique et une tension de référence de masse couplées entre elles, les premier et second onduleurs couplés de manière transversale fournissant des premier et second terminaux de données ; (b) des premier et second transistors de sélection respectivement couplés aux premier et second terminaux de données pour commander l'accès aux premier et second terminaux de données ; et (c) des premier et second condensateurs ferroélectriques couplés entre une première ligne de plaque et respectivement les premier et second terminaux de données, la première ligne de plaque recevant une tension de programmation négative comportant une amplitude supérieure à la tension d'alimentation électrique pour permettre la programmation d'un des premier et second condensateurs ferroélectriques dans un premier état programmé non volatil.