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1. (WO2018125141) PROCÉDÉS D'INCORPORATION DE CARBONE STABILISÉ DANS DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/125141 N° de la demande internationale : PCT/US2016/069218
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 29.12.2016
CIB :
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : BLACKWELL, James M.; US
Mandataire : BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHODS FOR INCORPORATING STABILIZED CARBON INTO SILICON NITRIDE FILMS
(FR) PROCÉDÉS D'INCORPORATION DE CARBONE STABILISÉ DANS DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN) A method of forming a dielectric film including depositing a silicon nitride precursor having the general formula of General Formula (I), wherein dashed lines individually represent an optional bond, wherein R1 is selected from a hydrogen atom, a substituted amine or nothing, wherein R2 and R3 are independently selected from a C1-C4 alkylsilyl, wherein R4 is CxHmNR5CyHn and x and y are independently 0 or 1, m and n are independently 0, 1 or 2 and R5 is a C1-C4 alkylsilyl, and reacting the silicon nitride precursor with a co-reactant. An integrated circuit device including a semiconductor substrate; and a silicon nitride film on the semiconductor substrate, the silicon nitride film including carbon atoms bound to more than one nitrogen atoms.
(FR) L'invention porte sur un procédé de formation d'un film diélectrique qui consiste : à déposer un précurseur de nitrure de silicium ayant pour formule générale la formule (I), dans laquelle les lignes en pointillés représentent individuellement des liaisons facultatives, R1 sont choisi parmi un atome d'hydrogène, une amine substituée ou rien, R2 et R3 sont choisis indépendamment parmi un alkylsilyle en C1 à C4, R4 est CxHmNR5CyHn, x et y ayant indépendamment pour valeur 0 ou 1, m et n ayant indépendamment pour valeur 0, 1 ou 2 et R5 étant un alkylsilyle en C1 à C4; à faire réagir le précurseur de nitrure de silicium avec un co-réactif. L'invention concerne également un dispositif de circuit intégré qui comprend un substrat semi-conducteur; un film de nitrure de silicium sur le substrat semi-conducteur, le film de nitrure de silicium comprenant des atomes de carbone liés à plusieurs atomes d'azote.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)