Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018125105) MISE EN FORME D'UN GABARIT D'OXYDES COMPLEXES EN VUE D'UNE INTÉGRATION FERROÉLECTRIQUE ET MAGNÉTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/125105 N° de la demande internationale : PCT/US2016/069023
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 28.12.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
LIN, Chia-Ching; US
CHAWLA, Jasmeet S.; US
NIKONOV, Dmitri E.; US
YOUNG, Ian A.; US
Mandataire :
MUGHAL, Usman A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TEMPLATING OF COMPLEX OXIDES FOR FERROELECTRIC AND MAGNETOELECTRIC INTEGRATION
(FR) MISE EN FORME D'UN GABARIT D'OXYDES COMPLEXES EN VUE D'UNE INTÉGRATION FERROÉLECTRIQUE ET MAGNÉTOÉLECTRIQUE
Abrégé :
(EN) An apparatus is provided which comprises: a multiferroic layer having an ordered crystalline structure; and a crystallinity templating layer adjacent to the multiferroic layer, wherein the crystallinity templating layer comprises a material which includes one of: MgO, MgAlO, c-Al2O3, InSnO, or Ag; and wherein the multiferroic layer comprises a material which includes one of: LuFe2O4, LuFeO3, Lu2O3, h-LuFeO3, Fe2O3, Fe3O4, BiFeO3, Nd-BiFeO3, layers of Pt and BiFeO3, or layers of Pt and Nd-BiFeO3.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : une couche multiferroïque comportant une structure cristalline ordonnée; et une couche de mise en forme de gabarit de cristallinité adjacente à la couche multiferroïque, la couche de mise en forme de gabarit de cristallinité comprenant une matière qui inclut l'un des éléments suivants : MgO, MgAlO, c-Al2O3, InSnO ou Ag; et la couche multiferroïque comprenant une matière qui inclut l'un des éléments suivants : LuFe2O4, LuFeO3, Lu2O3, h-LuFeO3, Fe2O3, Fe3O4, BiFeO3, Nd-BiFeO3, des couches de Pt et de BiFeO3 ou des couches de Pt et de Nd-BiFeO3.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)