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1. (WO2018125094) PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE BARRIÈRE DANS DES SUBSTRATS DE BOÎTIER HAUTE DENSITÉ

Pub. No.:    WO/2018/125094    International Application No.:    PCT/US2016/068942
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 29 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 23/00
H01L 23/12
H01L 23/498
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: UNRUH, David
PIETAMBARAM, Srinivas V.
Title: PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE BARRIÈRE DANS DES SUBSTRATS DE BOÎTIER HAUTE DENSITÉ
Abstract:
La présente invention concerne des procédés/structures de formation de structures de boîtier. Ces procédés/structures peuvent comprendre la formation d'une première piste conductrice adjacente à une seconde piste conductrice sur un matériau diélectrique d'un substrat de boîtier haute densité. Une couche barrière est formée sur au moins l'une de la première piste conductrice ou de la seconde piste conductrice, la couche barrière comprenant un matériau résistant à la corrosion, et un trou d'interconnexion conducteur est formé sur une partie de la couche barrière.