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1. (WO2018125074) TRANSISTORS ASYMÉTRIQUES ET DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2018/125074 N° de la demande internationale : PCT/US2016/068815
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 28.12.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
LEE, Yen Chun; US
Mandataire :
BOOTH, Brett C.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ASYMMETRIC TRANSISTORS AND RELATED DEVICES AND METHODS
(FR) TRANSISTORS ASYMÉTRIQUES ET DISPOSITIFS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Asymmetric transistors and related methods and devices are disclosed. A transistor includes a semiconductor material doped with a first type of charge carriers along the gate oxide according to an asymmetric doping profile with a halo region on a source side. The transistor also includes a source including a lightly doped drain (LDD) on the source side, and a drain having a doping profile of charge carriers of a second type graded in a decreasing manner toward the source side. A method includes applying a large angle tilt implant drain (LATID) process to a drain side, a halo implant process to a source side, and applying an LDD process on the source side. A memory device includes an asymmetric transistor. A computing device includes an asymmetric transistor.
(FR) L'invention concerne des transistors asymétriques et des procédés et des dispositifs associés. Un transistor comprend un matériau semi-conducteur dopé avec un premier type de porteurs de charge le long de l'oxyde de grille selon un profil de dopage asymétrique avec une région de halo sur un côté source. Le transistor comprend également une source comprenant un drain légèrement dopé (LDD) côté source et un drain ayant un profil de dopage de porteurs de charge d'un second type dosé d'une manière décroissante vers le côté source. Un procédé comprend l'application d'un processus de drain d'implant d'inclinaison de grand angle (LATID) à un côté drain, d'un processus d'implant de halo à un côté source et l'application d'un processus de LDD sur le côté source. Un dispositif de mémoire comprend un transistor asymétrique. Un dispositif informatique comprend un transistor asymétrique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)