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1. (WO2018125035) TRANSISTORS COMPRENANT UN MATÉRIAU DE SOURCE/DRAIN FINAL TRAITÉ APRÈS TRAITEMENT DE GRILLE DE REMPLACEMENT

Pub. No.:    WO/2018/125035    International Application No.:    PCT/US2016/068660
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 28 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/66
H01L 21/8238
H01L 29/423
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: JAMBUNATHAN, Karthik
MADDOX, Scott J.
MURTHY, Anand S.
GLASS, Glenn A.
MEHANDRU, Rishabh
WEBER, Cory E.
GHANI, Tahir
Title: TRANSISTORS COMPRENANT UN MATÉRIAU DE SOURCE/DRAIN FINAL TRAITÉ APRÈS TRAITEMENT DE GRILLE DE REMPLACEMENT
Abstract:
L'invention concerne des techniques de formation de transistors comprenant un matériau de source/drain (S/D) final traité après un traitement de grille de remplacement. Dans certains cas, au moins l'une des régions S/D d'un transistor peut initialement être formée avec un matériau S/D sacrificiel qui est destiné à être retiré et remplacé ultérieurement dans le flux de traitement par un matériau S/D final. Le matériau S/D sacrificiel peut être formé pendant la formation de région S/D typique (par exemple, après que l'empilement de grille factice et les entretoises de grille ont été formés). Ensuite, le matériau S/D sacrificiel peut être retiré et remplacé par un matériau S/D final par l'intermédiaire d'une tranchée de contact S/D correspondante, de telle sorte que le matériau S/D final n'est pas formé jusqu'à approcher de la fin du traitement de ligne d'extrémité avant (FEOL). Ceci permet de retarder la formation du matériau S/D final jusqu'à atteindre la fin du traitement de grille de remplacement, ce qui permet de résoudre le problème de diffusion de dopant à partir des régions S/D dans le canal.