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1. (WO2018124214) DISPOSITIF D'IRRADIATION LASER, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2018/124214    International Application No.:    PCT/JP2017/047038
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 28 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/268
H01L 21/20
H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: V TECHNOLOGY CO., LTD.
株式会社ブイ・テクノロジー
Inventors: MIZUMURA Michinobu
水村 通伸
Title: DISPOSITIF D'IRRADIATION LASER, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Abstract:
La présente invention aborde le problème des variations possibles des caractéristiques d'une pluralité de transistors à couches minces compris dans un substrat en verre. Un dispositif d'irradiation laser selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une source de lumière permettant de générer une lumière laser ; une lentille de projection permettant d'irradier la lumière laser sur une région prédéterminée d'un film mince de silicium amorphe déposé sur chaque transistor à couches minces d'une pluralité de transistors à couches minces sur un substrat en verre se déplaçant dans une direction prédéterminée ; et un motif de masque en saillie qui est disposé sur la lentille de projection et qui comprend une pluralité de rangées ayant chacune un nombre prédéterminé d'ouvertures, la pluralité de rangées étant disposée en parallèle à la direction prédéterminée. Le dispositif d'irradiation laser est caractérisé en ce que la lentille de projection irradie la lumière laser par l'intermédiaire du motif de masque en saillie, au moins une partie des ouvertures du nombre prédéterminé d'ouvertures n'étant pas disposée sur une ligne droite parallèle à la direction prédéterminée, dans chaque rangée de la pluralité de rangées du motif de masque en saillie.