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1. (WO2018124097) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUE DE BASE PERFORÉE ET SYSTÈME DE PRODUCTION DE PLAQUE DE BASE PERFORÉE
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N° de publication : WO/2018/124097 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/046710
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 26.12.2017
CIB :
C03B 33/02 (2006.01) ,C03C 15/00 (2006.01) ,C03C 21/00 (2006.01) ,C23F 1/18 (2006.01) ,C23F 1/30 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
B
FABRICATION OU FAÇONNAGE DU VERRE, DE LA LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES; TRAITEMENTS ADDITIONNELS DANS LA FABRICATION OU LE FAÇONNAGE DU VERRE, DE LA LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
33
Sectionnement du verre refroidi
02
Découpe ou fendage des feuilles de verre; Dispositifs ou machines à cet effet
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
15
Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
21
Traitement du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par diffusion d'ions ou de métaux en surface
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1
Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
10
Compositions de décapage
14
Compositions aqueuses
16
Compositions acides
18
pour le cuivre ou ses alliages
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
F
ENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
1
Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
10
Compositions de décapage
14
Compositions aqueuses
16
Compositions acides
30
pour les autres matériaux métalliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308
en utilisant des masques
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION CHIBA UNIVERSITY[JP/JP]; 1-33, Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba 2638522, JP
USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1-6-5, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150, JP
Inventeurs : MATSUSAKA, Souta; JP
AOYAMA, Hiroki; JP
KODAKA, Hiroki; JP
KAWAMURA, Hirofumi; JP
Mandataire : KONISHI, Kay; JP
NAGAOKA, Shigeyuki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-25365527.12.2016JP
Titre (EN) PERFORATED BASE BOARD PRODUCTION METHOD AND PERFORATED BASE BOARD PRODUCTION SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUE DE BASE PERFORÉE ET SYSTÈME DE PRODUCTION DE PLAQUE DE BASE PERFORÉE
(JA) 穴あき基板の製造方法および穴あき基板製造システム
Abrégé :
(EN) The objective of the invention is to efficiently form minute holes in a base board. In one aspect, the perforated base board production method comprises: a depositing step of injecting a metal disposed in a portion of the base board surface into the base board through the application of a voltage, and depositing the injected metal within the base board through the application of a voltage that is identical to or different from the previously applied voltage; and a hole-forming step of melting by etching the metal deposited within the base board, thereby forming the hole in the base board.
(FR) L'objectif de l'invention est de percer efficacement des trous minuscules dans une plaque de base. Selon un aspect, le procédé de production de plaque de base perforée comprend : une étape de dépôt consistant à injecter un métal disposé dans une partie de la surface de la plaque de base dans la plaque de base par application d'une tension, cela étant suivi du dépôt du métal injecté à l'intérieur de la plaque de base par application d'une tension identique ou différente de la tension appliquée précédemment ; et une étape de formation des trous consistant à faire fondre par attaque chimique le métal déposé à l'intérieur de la plaque de base, avec pour résultat la formation des trous dans la plaque de base.
(JA) 基板に微小サイズの穴を効率よく形成する。穴あき基板の製造方法の一態様は、基板の表面の一部に配置された金属をその基板内に電圧印加で注入し、注入した金属をその基板内に、上記電圧印加と同じ又は別の電圧印加で析出させる析出工程と、上記基板内に析出した金属をエッチングで溶かすことにより上記基板に穴を形成する穴形成工程と、を備える。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)