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1. (WO2018124017) GRAINS ABRASIFS À BASE D'OXYDE DE CÉRIUM
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N° de publication : WO/2018/124017 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/046538
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 26.12.2017
CIB :
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
14
Substances antidérapantes; Abrasifs
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37
Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants : KAO CORPORATION[JP/JP]; 14-10, Nihonbashi Kayabacho 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038210, JP
Inventeurs : YOSHINO Taiki; --
KINUTA Koji; --
OI Shin; --
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
Données relatives à la priorité :
2016-25627528.12.2016JP
Titre (EN) CERIUM OXIDE ABRASIVE GRAINS
(FR) GRAINS ABRASIFS À BASE D'OXYDE DE CÉRIUM
(JA) 酸化セリウム砥粒
Abrégé :
(EN) Provided in one embodiment are cerium oxide abrasive grains with which it is possible to improve a polishing rate. The present disclosure, in one embodiment, pertains to cerium oxide abrasive grains to be used in an abrasive, wherein the cerium oxide abrasive grains have a 300°C or lower water production level, measured by temperature-programmed reduction (temperature-programmed reaction), of 8 mmol/m2 or higher per unit surface area of the cerium oxide abrasive grains.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente divulgation concerne des grains abrasifs à base d'oxyde de cérium qui permettent d'améliorer un degré de polissage. Dans un mode de réalisation selon la présente divulgation, des grains abrasifs à base d'oxyde de cérium destinés à être utilisés dans un abrasif sont décrits, où les grains abrasifs à base d'oxyde de cérium ont un niveau de production d'eau à 300 °C ou moins, mesuré par une réduction programmée de température (réaction programmée en température), de 8 mmol/m2 ou plus par unité de surface des grains abrasifs à base d'oxyde de cérium.
(JA) 一態様において、研磨速度を向上できる酸化セリウム砥粒の提供。 本開示は、一態様において、研磨剤に使用される酸化セリウム砥粒であって、昇温還元法(Temperature-Programmed-Reaction)により測定される300℃以下の水生成量が、酸化セリウム砥粒の単位表面積あたり、8mmol/m2以上である、酸化セリウム砥粒に関する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)