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1. (WO2018123940) MASQUE EN DEMI-TEINTE, ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE EN DEMI-TEINTE

Pub. No.:    WO/2018/123940    International Application No.:    PCT/JP2017/046370
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Dec 26 00:59:59 CET 2017
IPC: G03F 1/00
C23C 14/06
C23C 14/08
C23C 14/14
G03F 1/32
G03F 7/40
Applicants: SK-ELECTRONICS CO., LTD.
株式会社エスケーエレクトロニクス
Inventors: MIMASAKA, Masahiro
美作 昌宏
Title: MASQUE EN DEMI-TEINTE, ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE EN DEMI-TEINTE
Abstract:
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un masque en demi-teinte avec lequel un motif plus fin et une multi-gradation peuvent être obtenus à la fois. La solution selon l'invention porte sur une première région semi-transparente comprenant un premier film semi-transparent, une seconde région semi-transparente comprenant un stratifié du premier film semi-transparent et un second film semi-transparent, une région transparente, et une région dans laquelle la première région semi-transparente et la seconde région semi-transparente sont adjacentes l'une à l'autre, et sont disposées sur un substrat transparent. La transmissivité des première et seconde régions semi-transparentes par rapport à la lumière d'exposition est respectivement de 10 à 70 % et de 1 à 8 %, et la seconde région semi-transparente inverse la phase de la lumière d'exposition. Par conséquent, la distribution d'intensité de la lumière d'exposition change fortement au niveau de la partie limite de la première région semi-transparente adjacente et de la seconde région semi-transparente, ce qui permet d'améliorer la forme de section transversale d'un motif de résine photosensible exposé.