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1. (WO2018123823) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN COLONNES

Pub. No.:    WO/2018/123823    International Application No.:    PCT/JP2017/046000
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/8244
H01L 27/11
Applicants: UNISANTIS ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD.
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
MASUOKA Fujio
舛岡 富士雄
HARADA Nozomu
原田 望
NAKAMURA Hiroki
中村 広記
MATAGNE Phillipe
マタニア フィリップ
KIKUCHI Yoshiaki
菊池 善明
Inventors: MASUOKA Fujio
舛岡 富士雄
HARADA Nozomu
原田 望
NAKAMURA Hiroki
中村 広記
MATAGNE Phillipe
マタニア フィリップ
KIKUCHI Yoshiaki
菊池 善明
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN COLONNES
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur en colonnes, le procédé comprenant des étapes consistant à: former une couche circulaire de SiO2 en forme de ceinture entourant les faces latérales d'une couche P+ 38a et de couches N+ 38b, 8c formées sur une colonne de Si 6b par croissance épitaxiale de cristaux, et une couche d'AlO 51 sur la section périphérique extérieure entourant la couche de SiO2; former des trous de contact en forme de ceinture en gravant la couche de SiO2 en forme de ceinture, la couche d'AlO 51 servant de masque; et former des couches de W 52c, 52d, 52e en forme de ceinture (comprenant des couches conductrices tampons), de largeurs égales dans une vue en plan, en contact avec les faces latérales des parties supérieures de la couche P+ 38a et des couches N+ 38b, 8c en encastrant les couches de W 52c, 52d, 52e dans les trous de contact.