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1. (WO2018123696) SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2018/123696    International Application No.:    PCT/JP2017/045387
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Dec 19 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/786
G02F 1/13
H01Q 3/34
H01Q 3/44
H01Q 13/22
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: MISAKI Katsunori
美崎 克紀
Title: SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES
Abstract:
Cette invention concerne substrat de transistors en couches minces (105), comprenant : une région d'émission/réception (R1) qui comprend une pluralité de régions d'unités d'antenne (U) ; et une région de non transmission/réception (R2) qui est disposée en dehors de la région d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor en couches minces (10) et une électrode patch (3PE) connectée à une électrode de drain (7D) pour le transistor en couches minces. Le substrat de transistors en couches minces comprend : une couche de métal source (7) qui comprend des électrodes de source (7S), les électrodes de drain et des lignes de bus source (SL) pour les transistors en couches minces ; une couche de métal de grille (3) qui est formée sur la couche de métal source et comprend des électrodes de grille (3G) et des lignes de bus de grille (GL) pour les transistors en couches minces ; une couche d'isolation de grille (4) qui est formée entre la couche de métal source et la couche de métal de grille ; une couche isolante inter-couches (11) qui est formée sur la couche de métal de grille ; et une couche conductrice (19) qui est formée sur la couche isolante inter-couches. Les électrodes patch sont incluses dans la couche de métal de grille.