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1. (WO2018123550) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION DE FLUX DE GAZ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE DÉPART DE CIBLE DE PULVÉRISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/123550 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/044448
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 11.12.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 08.06.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,G11B 5/851 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
84
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
851
Revêtement d'un support avec une couche magnétique par pulvérisation cathodique
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION[JP/JP]; 1-2,Otemachi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP
Inventeurs : KOSHO,Takashi; JP
TAKAMI,Hideo; JP
NAKAMURA,Yuichiro; JP
TAKECHI,Mikio; JP
MIKAMI,Tomohiro; JP
Mandataire : AXIS PATENT INTERNATIONAL; Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome,Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
Données relatives à la priorité :
2016-25665728.12.2016JP
Titre (EN) GAS FLOW SPUTTERING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET STARTING MATERIAL
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION DE FLUX DE GAZ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE DÉPART DE CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a gas flow sputtering device suited to the long-term and stable production of a sputtering target starting material at a high sputtering rate. A gas flow sputtering device equipped with a pair of plate-shaped targets positioned in a manner such that the sputtering surfaces face one another with an interval interposed therebetween inside a sputtering chamber, a pair of cooling devices for cooling the plate-shaped targets, and a conductive securing member for securing the plate-shaped targets to the cooling devices, wherein: the pair of plate-shaped targets have attachment parts that project from the lateral surfaces thereof, and the pair of plate-shaped targets are secured to the cooling devices while satisfying a positional relationship in which the attachment parts are sandwiched between the securing member and the cooling devices; and the securing member is covered by an insulative shield member that does not contact the pair of plate-shaped targets.
(FR) L'invention concerne un dispositif de pulvérisation de flux de gaz approprié pour la production à long terme et stable d'un matériau de départ de cible de pulvérisation à une vitesse de pulvérisation élevée. L'invention concerne un dispositif de pulvérisation de flux de gaz équipé d'une paire de cibles en forme de plaque positionnées de telle sorte que les surfaces de pulvérisation se font face avec un intervalle interposé entre celles-ci à l'intérieur d'une chambre de pulvérisation, d'une paire de dispositifs de refroidissement pour refroidir les cibles en forme de plaque, et d'un élément de fixation conducteur pour fixer les cibles en forme de plaque aux dispositifs de refroidissement, la paire de cibles en forme de plaque possédant des parties d'attachement qui font saillie à partir des surfaces latérales de celles-ci, et la paire de cibles en forme de plaque étant fixée aux dispositifs de refroidissement tout en satisfaisant une relation de position dans laquelle les parties d'attachement sont intercalées entre l'élément de fixation et les dispositifs de refroidissement ; et l'élément de fixation est recouvert par un élément de blindage isolant qui n'entre pas en contact avec la paire de cibles en forme de plaque.
(JA) スパッタリングターゲット原料を長時間安定して高スパッタレートで製造するのに適したガスフロースパッタリング装置を提供する。スパッタリングチャンバー内に間隔を置いて互いのスパッタ面が対向するように配置された一対の平板ターゲットと、各平板ターゲットを冷却するための一対の冷却装置と、各平板ターゲットを冷却装置に固定するための導電性固定部材とを備えたガスフロースパッタリング装置であって、前記一対の平板ターゲットはそれぞれの側面から延出した取付部位を有しており、前記取付部位が前記固定部材と前記冷却装置によって挟まれた位置関係で前記一対の平板ターゲットがそれぞれ冷却装置に固定されており、前記固定部材は前記一対の平板ターゲットとは接触しない絶縁性シールド部材によって被覆されている、ガスフロースパッタリング装置。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)