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1. (WO2018123506) PROCÉDÉ DE MESURE DE DÉFAUT DE TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM, ÉCHANTILLON DE RÉFÉRENCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIÉE DE CARBURE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2018/123506    International Application No.:    PCT/JP2017/044093
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 08 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/66
C30B 29/36
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
Inventors: KAMEI Koji
亀井 宏二
Title: PROCÉDÉ DE MESURE DE DÉFAUT DE TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM, ÉCHANTILLON DE RÉFÉRENCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIÉE DE CARBURE DE SILICIUM
Abstract:
Cette invention concerne un procédé de mesure de défaut de tranche de SiC, comprenant une étape de gestion de dispositif consistant à gérer un dispositif de mesure de défaut par : l'irradiation d'un échantillon de référence qui est constitué d'un matériau ayant une intensité d'émission de lumière qui ne change pas sous l'effet d'une irradiation répétée par une lumière d'excitation et qui comporte un motif constitué d'évidements et/ou de saillies dans sa surface, une telle irradiation étant réalisée avec la lumière d'excitation, avant la mesure de défauts d'une tranche de SiC, et dans des conditions d'irradiation identiques à celles pendant la mesure de la tranche de SiC; et la mesure du rapport signal sur bruit du motif à partir de l'image de réflexion du motif.