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1. (WO2018123183) MATÉRIAU CIBLE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/123183 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035924
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 03.10.2017
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD.[JP/JP]; 1-6, Barajima 3-chome, Akita-shi, Akita 0108585, JP
DAIDO STEEL CO., LTD.[JP/JP]; 1-10, Higashisakura 1-chome, Higashi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4618581, JP
Inventeurs : KANAI, Masahiro; JP
TSUZUKIHASHI, Koji; JP
KONISHI, Nozomi; JP
HAGIWARA, Masahiro; JP
KATSUMI, Masataka; JP
KOBAYASHI, Kazuhito; JP
Mandataire : SUDA, Masayoshi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-25055526.12.2016JP
Titre (EN) SILICON TARGET MATERIAL
(FR) MATÉRIAU CIBLE DE SILICIUM
(JA) シリコンターゲット材
Abrégé :
(EN) In the present invention, on the surface of a rectangular plate-shaped target material (10), a groove section (13) that extends in the longitudinal direction is formed in the width-direction center of the target material (10) as a virtual region that is designed not to be spattered. If the width (W1) of the surface of the target material (10) is 100%, the width (W2) of the groove section (13) is 20–40%. Moreover, curved surfaces are formed in corner sections (14) of the groove section (13), and it is preferable that the radius of curvature at the mouth edge of the corner sections (14) be at least 1.0 mm.
(FR) Dans la présente invention, sur la surface d'un matériau cible en forme de plaque rectangulaire (10), une section rainure (13) qui s'étend dans le sens longitudinal est formée au centre du matériau cible (10) dans le sens de la largeur à titre de région virtuelle qui n'est pas destinée à être soumise à pulvérisation. Si la largeur (W1) de la surface du matériau cible (10) est de 100 %, la largeur (W2) de la section rainure (13) est de 20 à 40 %. De plus, des surfaces incurvées sont formées dans les sections cornières (14) de la section rainure (13), et de préférence, le rayon de courbure en bord d'ouverture desdites sections cornières (14) est d'au moins 1,0 mm.
(JA) 長方形板状のターゲット材(10)の表面には、設計上スパッタリングされない仮想領域として、ターゲット材(10)の幅方向の中央に長手方向に延びる溝部(13)が形成される。溝部(13)の幅(W2)は、ターゲット材(10)表面の幅(W1)を100%とするとき20~40%である。また、溝部(13)のコーナ部(14)は湾曲面に形成され、このコーナ部(14)の口元の曲率半径は1.0mm以上であることが好ましい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)