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1. (WO2018123153) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE 13
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N° de publication : WO/2018/123153 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/032816
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 19/04 (2006.01) ,C30B 19/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38
Nitrures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
02
en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants
04
le solvant étant un constituant du cristal
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
12
caractérisée par le substrat
Déposants : NGK INSULATORS, LTD.[JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
Inventeurs : HIRAO Takayuki; JP
ISODA Yoshinori; JP
NOGUCHI Suguru; JP
UCHIKAWA Tetsuya; JP
Mandataire : HOSODA Masutoshi; JP
AOKI Sumio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-25262927.12.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING GROUP 13 ELEMENT NITRIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE 13
(JA) 13族元素窒化物の製造方法
Abrégé :
(EN) The normal vector to the main surface of a seed crystal has an off angle of 0.4-5.0° in the <11-20> direction with respect to the <0001> direction of the seed crystal, and the proportion of a group 13 metal is 24-38 mol% when the total amount of the group 13 metal and alkali metals in a melt is 100 mol%.
(FR) Le vecteur normal à la surface principale d'un germe cristallin présente un angle de décalage de 0,4 à 5,0° dans la direction <11-20> par rapport à la direction <0001> du germe cristallin, et la proportion de métal du groupe 13 est de 24 à 38 % en moles lorsque la quantité totale de métal du groupe 13 et de métaux alcalins dans une masse fondue est de 100 % en moles.
(JA) 種結晶の主面に対する法線が前記種結晶の<0001>方向に対して<11-20>方向に0.4~5.0°のオフ角を有しており、融液における前記13族金属と前記アルカリ金属との合計量を100mol%としたとき、前記13族金属の割合を24mol%以上、38mol%以下とする。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)