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1. (WO2018122517) PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UNE ETAPE DE GRAVURE DE LA FACE ARRIERE DU SUBSTRAT DE CROISSANCE
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N° de publication : WO/2018/122517 N° de la demande internationale : PCT/FR2017/053817
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 22.12.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
ALEDIA [FR/FR]; Chez Minatec, Bâtiment Haute Technologie N°52 7 Parvis Louis Neel BP 50 38040 Grenoble, FR
Inventeurs :
POURQUIER, Eric; FR
Mandataire :
LE GOALLER, Christophe; FR
DUPONT, Jean-Baptiste; FR
COLOMBO, Michel; FR
Données relatives à la priorité :
166340927.12.2016FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UNE ETAPE DE GRAVURE DE LA FACE ARRIERE DU SUBSTRAT DE CROISSANCE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for manufacturing an optoelectronic device (1), comprising the following steps: a) providing a growth substrate (10) made from a semiconductor material; b) forming a plurality of diodes (20) each comprising a lower face (20i); c) removing at least a portion (12; 13) of the substrate so as to free the lower face (20i); wherein: - step a) involves producing a lower part and an upper part of the substrate, the upper part (12) having a uniform thickness (eref) and a level of doping less than that of the lower part; - step c) involving removal of the lower part (11) by selective chemical etching with respect to the upper part (12).
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1), comportant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (10) de croissance en un matériau semiconducteur; b) former une pluralité de diodes (20) comportant chacune une face inférieure (20i); c) supprimer au moins une portion (12; 13) du substrat de manière à rendre libre la face inférieure (20i); dans lequel : - l'étape a) comporte la réalisation d'une partie inférieure et d'une partie supérieure du substrat, la partie supérieure (12) présentant une épaisseur (eref) homogène et un niveau de dopage inférieur à celui de la partie inférieure; - l'étape c) comportant une suppression de la partie inférieure (11) par gravure chimique sélective vis-à-vis de la partie supérieure (12).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)