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1. (WO2018122393) ISOLATION ÉLECTRIQUE DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS PHOTONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/122393 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/084855
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 29.12.2017
CIB :
H01S 5/022 (2006.01) ,G02B 6/42 (2006.01) ,G02B 6/43 (2006.01) ,G02B 6/12 (2006.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 21/761 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24
Couplage de guides de lumière
42
Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24
Couplage de guides de lumière
42
Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
43
Dispositions comprenant une série d'éléments opto-électroniques et d'interconnexions optiques associées
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
12
du genre à circuit intégré
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
761
Jonctions PN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026
Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
Déposants : OCLARO TECHNOLOGY LIMITED[GB/GB]; Caswell Towcester Northamptonshire NN12 8EQ, GB
Inventeurs : WHITBREAD, Neil David; GB
JONES, Stephen; GB
Mandataire : TALBOT-PONSONBY, Daniel; GB
Données relatives à la priorité :
1622437.030.12.2016GB
Titre (EN) ELECTRICAL ISOLATION IN PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(FR) ISOLATION ÉLECTRIQUE DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS PHOTONIQUES
Abrégé :
(EN) A method of providing electrical isolation between subsections in a waveguide structure for a photonic integrated device, the structure comprising a substrate, a buffer layer and a core layer, the buffer layer being located between the substrate and the core and comprising a dopant of a first type, the first type being either n-type or p-type, the method comprising the steps of prior to adding any layer to a side of the core layer opposite to the buffer layer: selecting at least one area to be an electrical isolation region, applying a dielectric mask to a surface of the core layer opposite to the buffer layer, with a window in the mask exposing an area of the surface corresponding to the selected electrical isolation region, implementing diffusion of a dopant of a second type, the second type being of opposite polarity to the first type, and allowing the dopant of the second type to penetrate to the substrate to form a blocking junction.
(FR) L'invention concerne un procédé de fourniture d'une isolation électrique entre des sous-sections dans une structure de guide d'ondes pour un dispositif intégré photonique, la structure comprenant un substrat, une couche tampon et une couche de cœur, la couche tampon étant située entre le substrat et le cœur et comprenant un dopant d'un premier type, le premier type étant soit le type n soit le type p, le procédé comprenant les étapes consistant, avant d'ajouter une quelconque couche à un côté de la couche de cœur opposé à la couche tampon, à : sélectionner au moins une zone destinée à être une région d'isolation électrique, appliquer un masque diélectrique sur une surface de la couche de cœur opposée à la couche tampon, une fenêtre dans le masque faisant apparaître une zone de la surface correspondant à la région d'isolation électrique sélectionnée, mettre en œuvre la diffusion d'un dopant d'un second type, le second type étant de polarité opposée au premier type, et permettre au dopant du second type de pénétrer dans le substrat pour former une jonction bloquante.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)