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1. (WO2018122216) SOLUTION POUR CUIVRAGE ÉLECTROLYTIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION MOTIFS À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ
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N° de publication : WO/2018/122216 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/084580
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 26.12.2017
CIB :
C25D 7/12 (2006.01) ,C25D 3/38 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par l'objet à revêtir
12
Semi-conducteurs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Dépôts de métaux par voie électrolytique; Bains utilisés
02
à partir de solutions
38
de cuivre
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
AVENI [FR/FR]; 15 rue du Buisson aux Fraises, Z.I. de la Bonde 91300 MASSY, FR
Inventeurs :
RELIGIEUX, Laurianne; FR
MEVELLEC, Vincent; FR
THIAM, Mikaïlou; FR
Mandataire :
CHANTRAINE, Sylvie; FR
HUBERT, Philippe; FR
HART-DAVIS, Jason; FR
LE ROUX, Martine; FR
MARRO, Nicolas; FR
MENA, Sandra; FR
MENDELSOHN, Isabelle; FR
NEVANT, Marc; FR
Données relatives à la priorité :
166352529.12.2016FR
Titre (EN) COPPER ELECTRODEPOSITION SOLUTION AND PROCESS FOR HIGH ASPECT RATIO PATTERNS
(FR) SOLUTION POUR CUIVRAGE ÉLECTROLYTIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION MOTIFS À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ
Abrégé :
(EN) The present invention relates to an electrolyte composition for depositing copper on a conductive surface. The composition contains a combination of 2,2'- bipyridine, imidazole, tetra-ethyl-ammonium, and a complexing agent for copper. This electrolyte makes it possible to manufacture small size copper interconnects without any void and with a filling speed that is compatible with industrial constrain. The invention also concerns a process for filling cavities with copper, and a semiconductor device that is obtained according to this process.
(FR) La présente invention concerne une composition d'électrolyte permettant de déposer du cuivre sur une surface conductrice. La composition contient une combinaison de 2,2'-bipyridine, d'imidazole, de tétraéthylammonium et d'un agent complexant pour le cuivre. Cet électrolyte permet de fabriquer des interconnexions en cuivre de petite taille sans vide et avec une vitesse de remplissage compatible avec les contraintes industrielles. L'invention concerne également un procédé de remplissage de cavités avec du cuivre, et un dispositif semi-conducteur obtenu selon ce procédé.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)