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1. (WO2018121479) PROCÉDÉ D'EXTRACTION D'UN MODÈLE DE PETIT SIGNAL D'HEMT ALGAN/GAN ET PARAMÈTRE DE CELUI-CI
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N° de publication : WO/2018/121479 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/118357
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 25.12.2017
CIB :
G06F 17/50 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
17
Equipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des fonctions spécifiques
50
Conception assistée par ordinateur
Déposants : CHINA COMMUNICATION MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.[CN/CN]; The East Part of 2nd Floor, No.37 Building Chentian Industrial Zone, 1st Baotian Road Xixiang, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102, CN
SHENZHEN INSTITUTE OF TERAHERTZ TECHNOLOGY AND INNOVATION CO., LTD.[CN/CN]; The East Part of 2nd Floor, No.37 Building Chentian Industrial Zone,1st Baotian Road Xixiang Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102, CN
Inventeurs : WU, Guangsheng; CN
ZHOU, Haifeng; CN
DING, Qing; CN
LI, Xiaocong; CN
WANG, Jiajia; CN
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901 No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623, CN
Données relatives à la priorité :
201611228985.927.12.2016CN
Titre (EN) METHOD OF EXTRACTING SMALL-SIGNAL MODEL OF ALGAN/GAN HEMT AND PARAMETER THEREOF
(FR) PROCÉDÉ D'EXTRACTION D'UN MODÈLE DE PETIT SIGNAL D'HEMT ALGAN/GAN ET PARAMÈTRE DE CELUI-CI
(ZH) AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法
Abrégé :
(EN) The invention discloses a method of extracting a small-signal model of a AlGaN/GaN HEMT and a parameter thereof. According to the invention, the small-signal model of a AlGaN/GaN HEMT is determined based on a conventional AlGaN/GaN HEMT small-signal model, and by adding, in a parasitic unit, a first coplanar waveguide capacitance between a gate and a source, and a second coplanar waveguide capacitance between the gate and a drain. Since the AlGaN/GaN HEMT device and a coplanar waveguide device have similar structures, when in use at a high frequency, the first coplanar waveguide capacitance and the second coplanar waveguide capacitance are introduced to take additional parasitic capacitances resulting from a coplanar waveguide effect of the AlGaN/GaN HEMT device into consideration, thereby reflecting an operating state and a device characteristic of the AlGaN/GaN HEMT device more accurately, and increasing accuracy of the device model.
(FR) L'invention concerne un procédé d'extraction d'un modèle de petit signal d'un HEMT AlGaN/GaN et un paramètre de celui-ci. Selon l'invention, le modèle de petit signal d'un HEMT AlGaN/GaN est déterminé sur la base d'un modèle de petit signal d'HEMT AlGaN/GaN classique, et en ajoutant, dans une unité parasite, une première capacité de guide d'ondes coplanaire entre une grille et une source, et une seconde capacité de guide d'ondes coplanaire entre la grille et un drain. Du fait que le dispositif HEMT AlGaN/GaN et un dispositif de guide d'ondes coplanaire ont des structures similaires, lorsqu'ils sont utilisés à une fréquence élevée, la première capacité de guide d'ondes coplanaire et la seconde capacité de guide d'ondes coplanaire sont introduites pour prendre en considération des capacités parasites supplémentaires résultant d'un effet de guide d'ondes coplanaire du dispositif HEMT AlGaN/GaN, ce qui permet de refléter plus précisément un état de fonctionnement et une caractéristique de dispositif du dispositif HEMT AlGaN/GaN, et d'augmenter la précision du modèle de dispositif.
(ZH) 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型及其参数的提取方法。本发明的AlGaN/GaN HEMT小信号模型在传统的AlGaN/GaN HEMT小信号模型的基础上,在寄生单元中增设了栅源之间的第一共面波导电容式(I)和栅漏之间的第二共面波导电容式(II)。由于AlGaN/GaN HEMT器件与共面波导器件的结构有着相似之处,在高频条件下,引入第一共面波导电容式(I)和第二共面波导电容式(II),也即,考虑了AlGaN/GaN HEMT器件的共面波导效应会引入额外寄生电容,可以更精准的反映AlGaN/GaN HEMT器件的工作状态和器件特性,提高了器件模型准确率。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)