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1. (WO2018121440) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE ET DIFFUSION LATÉRALE

Pub. No.:    WO/2018/121440    International Application No.:    PCT/CN2017/118025
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Dec 23 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO.,LTD.
无锡华润上华科技有限公司
Inventors: ZHANG, Guangsheng
张广胜
ZHANG, Sen
张森
HU, Xiaolong
胡小龙
WU, Xiao
吴肖
Title: TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE ET DIFFUSION LATÉRALE
Abstract:
L'invention concerne un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique et diffusion latérale, comprenant un substrat de second type de conductivité (101), une région de dérive de premier type de conductivité (102) sur le substrat (101), une région de canal de second type de conductivité (103) sur le substrat (101), une région de drain de premier type de conductivité (110) d'une surface de la région de dérive (102), une région de source d'une surface de la région de canal (103), une première couche d'oxyde de champ (104) entre la région de drain (110) et la région de source et une seconde couche d'oxyde de champ (104a) située sur un côté de la région de canal (103) à l'opposé de la région de drain (110), le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique et diffusion latérale étant en outre pourvu d'une rainure d'isolation (108) pénétrant à partir de la seconde couche d'oxyde de champ (104a) vers le bas sur le substrat (101), la conductivité électrique d'une charge dans la rainure d'isolation (108) étant inférieure à la conductivité électrique du substrat (101), de la région de drain (102) et de la région de canal (103).