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1. (WO2018121279) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF FLASH

Pub. No.:    WO/2018/121279    International Application No.:    PCT/CN2017/116192
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/28
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
无锡华润上华科技有限公司
Inventors: LIU, Tao
刘涛
LIANG, Zhibin
梁志彬
ZHANG, Song
张松
JIN, Yan
金炎
WANG, Dejin
王德进
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF FLASH
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif flash. Un procédé de fabrication d'un dispositif flash consiste à : utiliser un substrat (110) ; former de manière séquentielle, sur le substrat (110), une couche d'oxyde de grille flottante (FG) (120), une couche polycristalline FG (130) et une couche de masque FG (140) ; graver, au niveau de la région de localisation FG, la couche polycristalline FG (130) et la couche de masque FG (140), former une fenêtre (141) sur la couche de masque FG (140), et former une rainure (131) sur la couche polycristalline FG (130), la fenêtre (141) étant en communication avec la rainure (131) ; effectuer une gravure secondaire de la paroi latérale de la fenêtre (141) de la couche de masque FG (140), ce qui permet à la largeur de la rainure (131) située sur la couche polycristalline FG (130) d'être inférieure à la largeur de la fenêtre (141) gravée secondairement et située sur la couche de masque FG (140) ; et oxyder la couche polycristalline FG (130), ce qui permet à l'oxyde de remplir la rainure (131) pour former une couche d'oxyde de champ (150) ; et graver une FG ayant des angles vifs (θ1, θ2).