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1. (WO2018120878) CIRCUIT DE POLARISATION DE TRANSISTOR DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2018/120878    International Application No.:    PCT/CN2017/099367
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Aug 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H02M 1/088
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: WANG, Xinyu
王新宇
XIE, Qiang
谢强
CHEN, Liang
陈亮
Title: CIRCUIT DE POLARISATION DE TRANSISTOR DE PUISSANCE
Abstract:
Le circuit de polarisation de transistor de puissance de l’invention appartient au domaine de la technologie électronique, il permet de réduire les effets causés sur une tension de polarisation d’un transistor de puissance par sa propre commutation, et il améliore la stabilité d’une boucle de commande et la fiabilité du transistor de puissance. La solution spécifique est un circuit de polarisation de transistor de puissance qui comprend : un premier transistor à effet de champ de type P (21), un deuxième transistor à effet de champ de type P (22), un module d’attaque de transistor à effet de champ de type P (23), un premier condensateur de stabilisation de tension (24), un premier module de polarisation (25), un premier transistor à effet de champ de type N (31), un deuxième transistor à effet de champ de type N (32), un module d’attaque de transistor à effet de champ de type N (33), un deuxième condensateur de stabilisation de tension (34), un deuxième module de polarisation (35) et un dispositif de commande PWM (41). Le premier module de polarisation (25) prédéfinit, en fonction d’une tension de référence, des coefficients et une tension d’alimentation (PVDD) pour obtenir et délivrer en sortie une première tension de polarisation. Le deuxième module de polarisation (35) prédéfinit, en fonction de la tension de référence, des coefficients et une tension de mise à la terre d’alimentation (PGND) pour obtenir et délivrer en sortie une deuxième tension de polarisation. Une différence de tension entre PVDD et la première tension de polarisation est égale à une différence de tension entre la deuxième tension de polarisation et PGND.