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1. (WO2018120811) SOLUTION DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE ET APPLICATION ASSOCIÉE
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N° de publication : WO/2018/120811 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/094322
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 25.07.2017
CIB :
C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/321 (2006.01) ,H01L 21/3105 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
Déposants :
安集微电子科技(上海)股份有限公司 ANJI MICROELECTRONICS TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; 中国上海市 浦东新区华东路5001号金桥出口加工区(南区)T6-9幢底层 T6-9, No. 5001, Huadong Road, Shanghai Jinqiao Export Processing Zone (South Zone), Pudong New Area Shanghai 201201, CN
Inventeurs :
杨俊雅 YANG, Junya; CN
荆建芬 JING, Jianfen; CN
张建 ZHANG, Jian; CN
宋凯 SONG, Kai; CN
蔡鑫元 CAI, Xinyuan; CN
姚颖 YAO, Ying; CN
潘依君 PAN, Yijun; CN
杜玲曦 DU, Lingxi; CN
王春梅 WANG, Chunmei; CN
Mandataire :
北京大成律师事务所 BEIJING DACHENG LAW OFFICES, LLP; 中国上海市 浦东新区银城中路501号上海中心15/16层 15th/16th Floor, Shanghai Tower, 501 Yincheng Road (M), Pudong New Area Shanghai 200120, CN
Données relatives à la priorité :
201611231879.628.12.2016CN
Titre (EN) CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING SOLUTION AND APPLICATION THEREOF
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE ET APPLICATION ASSOCIÉE
(ZH) 化学机械抛光液及其应用
Abrégé :
(EN) A chemical-mechanical polishing solution, comprising abrasive particles, a corrosion inhibitor, a complexing agent, an oxidant, and at least one sulphonate anionic surfactant. The polishing solution can be used for polishing copper metal. The present invention improves the effect of the polishing solution on the polishing selection ratio of copper to a tantalum barrier layer and, when used for polishing wafers, can improve dielectric layer corrosion and dishing of polished copper wire, without defects such as copper residue and corrosion after polishing.
(FR) La présente invention concerne une solution de polissage chimico-mécanique, comprenant des particules abrasives, un inhibiteur de corrosion, un agent complexant, un oxydant et au moins un tensioactif anionique sulfonate. La solution de polissage peut être utilisée pour polir un métal de cuivre. La présente invention améliore l'effet de la solution de polissage sur le rapport de sélection de polissage du cuivre sur une couche barrière au tantale et, lorsqu'il est utilisé pour le polissage de galettes, peut améliorer la corrosion de couche diélectrique et le bombage de fil de cuivre poli, sans défauts tels qu'un résidu de cuivre et la corrosion après polissage.
(ZH) 一种化学机械抛光液,其包含研磨颗粒,腐蚀抑制剂,络合剂,氧化剂,至少含有一种磺酸盐类阴离子表面活性剂。该抛光液可应用于金属铜抛光中的用途。实现了提高抛光液对铜与钽阻挡层的抛光选择比的功效;且用于晶片的抛光可改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀,抛光后无铜残留物以及无腐蚀等缺陷。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)