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1. (WO2018120543) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE PIXEL
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N° de publication : WO/2018/120543 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/082109
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 27.04.2017
CIB :
G02F 1/133 (2006.01)
Déposants : HKC CORPORATION LIMITED[CN/CN]; Huike Industrial Park, Minying Industrial Park, Shuitian Country, Shiyan, Baoan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
CHONGQING HKC OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No.4-1 3 Building, No.16, Shigui Avenue, Jieshi Town, Banan District Chongqing 400000, CN
Inventeurs : CHEN, YU-JEN; CN
Mandataire : SHENZHEN BAIRUI PATENT & TRADEMARK OFFICE; Room 205 Building A, Yihua Complex Building, Zhuzi Lin, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Données relatives à la priorité :
201611270994.430.12.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE PIXEL
(ZH) 像素结构的制造方法
Abrégé : front page image
(EN) A method for manufacturing a pixel structure, comprising: forming a first conductive layer (11) on a substrate (101), forming a second conductive layer (12) on the substrate (101), forming a third conductive layer (13) on the substrate (101), wherein the first conductive layer (11), the second conductive layer (12) and the third conductive layer (13) are arranged in a stacked and spaced apart manner, the first conductive layer (11), the second conductive layer (12) and the third conductive layer (13) covering each other in vertical space; an active switch (TFT) is formed in a pixel area after the first conductive layer (11) is formed, wherein the first conductive layer (11) and a drain of the active switch (TFT) are coupled, while the second conductive layer (12) and a first voltage line are coupled, and the third conductive layer (13) and a second voltage line are coupled. The present invention may maintain pixel voltage size, reduce the impact of parasitic capacitance, thereby increasing the impact of the coupling effect.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de pixel, consistant : à former une première couche conductrice (11) sur un substrat (101), à former une deuxième couche conductrice (12) sur le substrat (101), à former une troisième couche conductrice (13) sur le substrat (101), la première couche conductrice (11), la deuxième couche conductrice (12) et la troisième couche conductrice (13) étant agencées de manière empilée et espacée, la première couche conductrice (11), la deuxième couche conductrice (12) et la troisième couche conductrice (13) se recouvrant l'une l'autre dans l'espace vertical ; un commutateur actif (TFT) est formé dans une zone de pixel après la formation de la première couche conductrice (11), la première couche conductrice (11) et un drain du commutateur actif (TFT) étant couplés, tandis que la seconde couche conductrice (12) et une première ligne de tension sont couplées, et la troisième couche conductrice (13) et une seconde ligne de tension sont couplées. La présente invention peut maintenir une taille de tension de pixel, réduire l'impact d'une capacité parasite, ce qui permet d'augmenter l'impact de l'effet de couplage.
(ZH) 一种像素结构的制造方法,包括:形成第一导电层(11)于基板(101)上;形成第二导电层(12)于基板(101)上;形成第三导电层(13)于基板(101)上,其中第一导电层(11)、第二导电层(12)和第三导电层(13)三者叠放且间隔设置,第一导电层(11)、第二导电层(12)和第三导电层(13)三者在垂直空间上相互覆盖;以及在形成第一导电层(11)后,形成主动开关(TFT)于像素区内,其中第一导电层(11)和主动开关(TFT)的漏极耦合;第二导电层(12)和第一电压线耦合;第三导电层(13)和第二电压线耦合。保持像素电压大小,减小寄生电容的影响,从而改善耦合效应的影响。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)