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1. (WO2018120382) PLAQUE DE MASQUE FINE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/120382 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/073882
Date de publication : 05.07.2018 Date de dépôt international : 17.02.2017
CIB :
C23C 14/04 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04
Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
Déposants : WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs : MU, Junying; CN
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201611233974.X28.12.2016CN
Titre (EN) FINE MASK PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) PLAQUE DE MASQUE FINE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 精细掩膜板及其制作方法
Abrégé :
(EN) A fine mask plate and a manufacturing method thereof are provided. The fine mask plate comprises a mask frame (15), a first mask formed of metal (11), and a second mask formed of an organic material (12). A plurality of first pixel openings (111) are formed on the first mask (11). One or more second pixel openings (121) are formed in each area of the second mask (12) respectively corresponding to one of the first pixel openings (111). Since the second pixel opening (121) formed in the area corresponding to one of the first pixel openings (111) is smaller than a conventional FMM in terms of pixel opening size, a smaller OLED device can be manufactured by the fine mask plate in a vacuum evaporation process, increasing the resolution of an OLED display product. In addition, since an opening wall slope of the second pixel opening (121) can be controlled to be smaller, an incidence angle of evaporation material at an edge of the second pixel opening (121) can be smaller in the vacuum evaporation process, reducing a coating film shadow region and increasing the resolution of the OLED display product.
(FR) La présente invention concerne une plaque de masque fine et un procédé de fabrication associé. La plaque de masque fine comprend un cadre de masque (15), un premier masque en métal (11), et un second masque en matériau organique (12). Une pluralité de premières ouvertures de pixel (111) sont formées sur le premier masque (11). Une ou plusieurs secondes ouvertures de pixel (121) sont formées dans chaque zone du second masque (12), correspondant respectivement à l'une des premières ouvertures de pixel (111). Étant donné que la seconde ouverture de pixel (121) formée dans la zone correspondant à l'une des premières ouvertures de pixel (111) est plus petite qu'un FMM classique en termes de taille d'ouverture de pixel, un dispositif OLED plus petit peut être fabriqué par la plaque de masque fine dans un procédé d'évaporation sous vide, augmentant la résolution d'un produit d'affichage OLED. De plus, étant donné qu'une pente de paroi d'ouverture de la seconde ouverture de pixel (121) peut être commandée pour être plus petite, un angle d'incidence du matériau d'évaporation au niveau d'un bord de la seconde ouverture de pixel (121) peut être plus petit dans le processus d'évaporation sous vide, réduisant une région d'ombre de film de revêtement et augmentant la résolution du produit d'affichage OLED.
(ZH) 一种精细掩膜板及其制作方法。精细掩膜板包括掩膜边框(15)、金属材料的第一掩膜(11)、及有机材料的第二掩膜(12);第一掩膜(11)上设有数个第一像素开孔(111);第二掩膜(12)上对应每一第一像素开孔(111)的区域内设有一个以上的第二像素开孔(121),由于第二像素开孔(121)对应设于对应第一像素开孔(111)的区域内,与现有的FMM相比,能够提供更小尺寸的像素开孔,从而能够用于真空蒸镀过程中制作更小尺寸的OLED器件,提高OLED显示产品的解析度;同时由于该第二像素开孔(121)的孔壁坡度可控制的更小,用于真空蒸镀过程中可使得蒸镀材料在第二像素开孔(121)边缘处的入射角度更小,从而能够减小镀膜阴影区域,进一步提高OLED显示产品的解析度。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)