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1. (WO2018120170) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL

Pub. No.:    WO/2018/120170    International Application No.:    PCT/CN2016/113844
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Dec 31 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
H01L 21/336
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: TSAI, Haocheng
蔡皓程
XU, Wanjie
徐挽杰
ZHANG, Chenxiong
张臣雄
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à effet tunnel, et un transistor à effet de champ à effet tunnel. Le procédé de fabrication consiste à : utiliser tout d'abord une structure de broche (13) pour définir une région source (21), puis former une première paroi d'espace (14) et une seconde paroi d'espace (151) sur deux côtés de la structure de broche (13), utiliser ensuite la structure de broche (13), la première paroi d'espace (14) et la seconde paroi d'espace (151) en tant que masque pour former une région de drain (17) ; puis supprimer la structure de broche (13), former la région de source (21) dans une position de la structure de broche (13), et enfin former une structure de grille (25) dans une position de la première paroi d'espace (14), de telle sorte que le procédé de fabrication n'est pas limité par une technique de photolithographie lorsque la région de source (21) et la région de drain (17) sont formées. De plus, le procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à effet tunnel peut utiliser la seconde paroi d'espace (151) pour commander strictement une région sans chevauchement entre la structure de grille (25) et la région de drain (17) de manière à réduire un courant de fuite du transistor à effet de champ à effet tunnel, et utilise une région de chevauchement entre la structure de grille (25) et la région de source (21) pour augmenter un courant de mise sous tension du transistor à effet de champ à effet tunnel.