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1. (WO2018119927) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES

Pub. No.:    WO/2018/119927    International Application No.:    PCT/CN2016/113155
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 30 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/336
G03F 7/42
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: SUN, Tao
孙涛
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces, consistant à graver une seconde couche métallique et une couche semi-conductrice pour former une zone limite du transistor à couches minces (S250) ; à re-graver la seconde couche métallique pour former une électrode de source, une électrode de drain et une zone de canal arrière du transistor à couches minces (S260) ; à décaper une résine photosensible résiduelle à l'aide d'un processus de calcination (S270) ; et à re-graver la couche semi-conductrice pour former un canal conducteur du transistor à couches minces (S280). Le procédé permet de réduire le problème de fuite électrique à partir du transistor à couches minces provoqué par des facteurs tels que la diffusion de cuivre et la contamination d'un liquide de décapage organique.