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1. (WO2018116655) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
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N° de publication : WO/2018/116655 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039665
Date de publication : 28.06.2018 Date de dépôt international : 02.11.2017
CIB :
H01L 29/82 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H03B 15/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127
Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33
Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39
utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
15
Production d'oscillations par effets galvanomagnétiques, p.ex. dispositifs à effet Hall, ou par effets de supraconduction
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Inventeurs :
占部 順一郎 URABE Junichiro; JP
柴田 哲也 SHIBATA Tetsuya; JP
山根 健量 YAMANE Takekazu; JP
鈴木 健司 SUZUKI Tsuyoshi; JP
志村 淳 SHIMURA Atsushi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-24656920.12.2016JP
Titre (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
Abrégé :
(EN) A magnetoresistance effect device 100 is characterized by being provided with first magnetoresistance effect elements 101a, 101b, a second magnetoresistance effect element 101c, a first port 109a, a second port 109b, a signal line 107, and a DC application terminal 110, wherein: the first port 109a and the second port 109b are connected via the signal line 107; the first magnetoresistance effect elements 101a, 101b, and the second magnetoresistance effect element 101c are connected to the signal line 107 in parallel with respect to the second port 109b; the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the second magnetoresistance effect element 101c are formed such that the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the second magnetoresistance effect element 101c have inverse relations between directions of a DC current, which is inputted from the DC application terminal 110 and flows in the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and also flows in the second magnetoresistance effect element 101c, and the respective arrangement orders of a magnetization fixed layer 102, a spacer layer 103, and a magnetization free layer 104; and the spin torque resonance frequency of the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the spin torque resonance frequency of the second magnetoresistance effect element 101c are different from each other.
(FR) Un dispositif à effet de magnétorésistance 100 selon l'invention est caractérisé en ce qu'il est pourvu de premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, d'un second élément à effet de magnétorésistance 101c, d'un premier port 109a, d'un second port 109b, d'une ligne de signal 107 et d'une borne d'application de CC 110. Selon l'invention : le premier port 109a et le second port 109b sont connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal 107; les premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont connectés à la ligne de signal 107 en parallèle par rapport au second port 109b; le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont formés de telle sorte que le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c présentent des relations inverses entre les directions d'un courant continu, qui est entré à partir de la borne d'application de CC 110 et s'écoule dans le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et s'écoule également dans le second élément à effet de magnétorésistance 101c, et les ordres d'agencement respectifs d'une couche à magnétisation fixe 102, d'une couche d'espacement 103 et d'une couche exempte de magnétisation; et la fréquence de résonance de couple de spin du premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et la fréquence de résonance de couple de spin du second élément à effet de magnétorésistance 101c sont différentes l'une de l'autre.
(JA) 磁気抵抗効果デバイス100は、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bと、第2の磁気抵抗効果素子101cと、第1のポート109aと、第2のポート109bと、信号線路107と、直流印加端子110とを有し、第1のポート109aおよび第2のポート109bが信号線路107を介して接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bおよび第2の磁気抵抗効果素子101cは、第2のポート109bに対して並列に信号線路107に接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cは、直流印加端子110から入力され第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cのそれぞれの中を流れる直流電流の向きと、それぞれの磁化固定層102、スペーサ層103および磁化自由層104の配置順との関係が、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)と第2の磁気抵抗効果素子101cとで逆になるように形成され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)のスピントルク共鳴周波数と第2の磁気抵抗効果素子101cのスピントルク共鳴周波数は互いに異なることを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)