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1. (WO2018116655) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE

Pub. No.:    WO/2018/116655    International Application No.:    PCT/JP2017/039665
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Nov 03 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/82
G11B 5/39
H01L 43/08
H03B 15/00
Applicants: TDK CORPORATION
TDK株式会社
Inventors: URABE Junichiro
占部 順一郎
SHIBATA Tetsuya
柴田 哲也
YAMANE Takekazu
山根 健量
SUZUKI Tsuyoshi
鈴木 健司
SHIMURA Atsushi
志村 淳
Title: DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
Abstract:
Un dispositif à effet de magnétorésistance 100 selon l'invention est caractérisé en ce qu'il est pourvu de premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, d'un second élément à effet de magnétorésistance 101c, d'un premier port 109a, d'un second port 109b, d'une ligne de signal 107 et d'une borne d'application de CC 110. Selon l'invention : le premier port 109a et le second port 109b sont connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal 107 ; les premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont connectés à la ligne de signal 107 en parallèle par rapport au second port 109b ; le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont formés de telle sorte que le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c présentent des relations inverses entre les directions d'un courant continu, qui est entré à partir de la borne d'application de CC 110 et s'écoule dans le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et s'écoule également dans le second élément à effet de magnétorésistance 101c, et les ordres d'agencement respectifs d'une couche à magnétisation fixe 102, d'une couche d'espacement 103 et d'une couche exempte de magnétisation ; et la fréquence de résonance de couple de spin du premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et la fréquence de résonance de couple de spin du second élément à effet de magnétorésistance 101c sont différentes l'une de l'autre.