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1. (WO2018114583) STRUCTURE D'ISOLATION POUR DISPOSITIFS IMPRIMABLES PAR MICRO-TRANSFERT

Pub. No.:    WO/2018/114583    International Application No.:    PCT/EP2017/082795
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/84
H01L 21/683
H01L 25/00
Applicants: X-CELEPRINT LIMITED
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG
Inventors: BOWER, Christopher Andrew
COK, Ronald S.
NEVIN, William Andrew
KITTLER, Gabriel
Title: STRUCTURE D'ISOLATION POUR DISPOSITIFS IMPRIMABLES PAR MICRO-TRANSFERT
Abstract:
La présente invention concerne une structure à semi-conducteur appropriée pour l'impression par micro-transfert. Ladite structure comprend un substrat semi-conducteur et une couche d'isolation à motif disposée sur ou sur le substrat semi-conducteur. Le motif de couche d'isolation forme un ou plusieurs trous d'interconnexion de gravure en contact avec le substrat semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, chaque trou d'interconnexion de gravure est exposé. Un dispositif à semi-conducteur est disposé sur la couche d'isolation à motif et est entouré par un matériau d'isolation dans un ou plusieurs trous d'interconnexion d'isolation qui sont adjacents au trou d'interconnexion de gravure. Le trou d'interconnexion de gravure peut être au moins partiellement rempli d'un matériau semi-conducteur qui peut être gravé avec un agent de gravure commun en tant que substrat semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, le trou d'interconnexion de gravure est vide et le substrat semi-conducteur est configuré pour former un espace qui sépare au moins une partie du dispositif à semi-conducteur du substrat semi-conducteur et forme une d'attache qui raccorde physiquement le dispositif à semi-conducteur à un ancrage (par exemple, une partie du substrat semi-conducteur ou de la couche d'isolation à motif).