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1. (WO2018113131) CAPTEUR DE PROXIMITÉ INTÉGRÉ MONOLITHIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/113131 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/078827
Date de publication : 28.06.2018 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01L 23/552 (2006.01) ,H01L 25/16 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/173 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,G01S 17/48 (2006.01)
Déposants : SHANGHAI INDUSTRIAL μTECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE[CN/CN]; Building 3, No.235 Chengbei Rd Jiading District Shanghai 201800, CN
Inventeurs : LI, Cheng; CN
CHEN, Long; CN
YUAN, Li; CN
Mandataire : BEIJING ORIGINTELLIGENCE IP LAW FIRM; LIU Yuanxia Room 705, Tower E, Jiahua Building No.9, Shangdi 3rd Street, Haidian District Beijing 100085, CN
Données relatives à la priorité :
201611183643.X20.12.2016CN
Titre (EN) MONOLITHIC INTEGRATED PROXIMITY SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CAPTEUR DE PROXIMITÉ INTÉGRÉ MONOLITHIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种单片集成距离传感器及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided are a monolithic integrated proximity sensor and a method for manufacturing same. The monolithic integrated proximity sensor (200) comprises: a substrate (201); a light emitter (202), formed on the substrate (201) and used for emitting light within a predetermined waveband; a light receiver (203), formed on the substrate (201), and used for receiving the light within the predetermined waveband reflected from the outside and generating an electrical signal that corresponds to the intensity of the received light; a metal electrode (204), provided on the surface of the substrate (201) and electrically connected to at least one of the light emitter (202) and the light receiver (203), the metal electrode (204) being located between the light emitter (202) and the light receiver (203); and a metal shielding layer (206), disposed outside the surfaces of the light emitter (202) and the light receiver (203). According to the present application, the size of the proximity sensor (200) is reduced by integrating the light receiver (203) and the light emitter (202) on one substrate (201); moreover, the light receiver (203) and the light emitter (202) are optically isolated using the metal electrode (204), and thus, the manufacturing complexity and costs are reduced.
(FR) La présente invention concerne un capteur de proximité intégré monolithique et son procédé de fabrication. Le capteur de proximité intégré monolithique (200) comprend : un substrat (201) ; un émetteur de lumière (202), formé sur le substrat (201), et destiné à émettre de la lumière dans une gamme d'ondes prédéterminée ; un récepteur de lumière (203), formé sur le substrat (201), et destiné à recevoir la lumière à l'intérieur de la gamme d'ondes prédéterminée réfléchie depuis l'extérieur et générer un signal électrique qui correspond à l'intensité de la lumière reçue ; une électrode métallique (204), disposée sur la surface du substrat (201) et connectée électriquement à l'émetteur de lumière (202) et/ou au récepteur de lumière (203), l'électrode métallique (204) étant située entre l'émetteur de lumière (202) et le récepteur de lumière (203) ; et une couche de protection métallique (206), disposée hors des surfaces de l'émetteur de lumière (202) et du récepteur de lumière (203). Selon la présente invention, la taille du capteur de proximité (200) est réduite par intégration du récepteur de lumière (203) et de l'émetteur de lumière (202) sur un substrat (201) ; en outre, le récepteur de lumière (203) et l'émetteur de lumière (202) sont optiquement isolés à l'aide de l'électrode métallique (204), et ainsi, la complexité de fabrication et les coûts sont réduits.
(ZH) 提供一种单片集成距离传感器及其制造方法,该单片集成距离传感器(200)包括:衬底(201);光发射器(202),其形成于所述衬底(201),用于发射预定波段的光;光接收器(203),其形成于所述衬底(201),用于接收由外界反射的所述预定波段的光,并产生与接收到的光的强度对应的电信号;金属电极(204),其设置于所述衬底(201)表面,与所述光发射器(202)和所述光接收器(203)中的至少一者电连接,所述金属电极(204)位于所述光发射器(202)和所述光接收器(203)之间;金属屏蔽层(206),其设置于所述光发射器(202)和所述光接收器(203)的表面之外。根据本申请,通过将光接收器(203)和光发射器(202)集成在一个衬底(201)上,缩小了距离传感器(200)的体积,并且,采用金属电极(204)对光接收器(203)和光发射器(202)进行光学隔离,降低了制造的复杂性和成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)