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1. (WO2018112950) SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES EN POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/112950    International Application No.:    PCT/CN2016/111868
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sun Dec 25 00:59:59 CET 2016
IPC: G02F 1/1362
Applicants: SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD
深圳市柔宇科技有限公司
Inventors: CHEN, Xiaoming
陈小明
Title: SUBSTRAT DE RÉSEAU DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES EN POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces de polysilicium basse température, comprenant : un substrat (10), une couche de polysilicium (11) disposée sur la surface du substrat (10), une couche isolante (12), une grille (13), une première électrode de commande (14), une seconde électrode de commande (15), une source (16) et un drain (17); la couche isolante (12) recouvre la couche de polysilicium (11); la première électrode de commande (14), la seconde électrode de commande (15), et la grille (13) sont disposées sur la couche isolante (12), et il existe des espaces entre la première électrode de commande (14), la seconde électrode de commande (15), et la grille (13); les positions des espaces correspondent à des régions de décalage (111) de la couche de polysilicium (11); un côté de la première électrode de commande (14) et la seconde électrode de commande (15) qui est distante de la région de décalage (111) est individuellement pourvue d'une région fortement dopée (112); la source (16) et le drain (17) sont respectivement formés sur deux régions fortement dopées (112). L'invention concerne également un substrat de réseau de transistors en couches minces de polysilicium basse température.