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1. (WO2018111597) SCHÉMA DE COMMANDE D'ÉCRITURE POUR MÉMOIRES INSCRIPTIBLES PAR BIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/111597 N° de la demande internationale : PCT/US2017/064516
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 04.12.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 17.08.2018
CIB :
G11C 11/419 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
417
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
419
Circuits de lecture-écriture (R-W)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTEN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California, US 92121-1714, US
Inventeurs : MEHTA, Darshit; US
JUNG, Chulmin; US
CHEN, Po-Hung; US
Mandataire : GELFOUND, Craig A.; US
HODGES, Jonas J.; US
BINDSEIL, James; US
Données relatives à la priorité :
15/379,28514.12.2016US
Titre (EN) WRITE DRIVER SCHEME FOR BIT-WRITABLE MEMORIES
(FR) SCHÉMA DE COMMANDE D'ÉCRITURE POUR MÉMOIRES INSCRIPTIBLES PAR BIT
Abrégé :
(EN) The apparatus provided may be a memory circuit. The memory circuit includes a memory cell. The memory cell has a bitline. The memory circuit also includes a write driver. The write driver is configured to drive the bitline to write a bit to the memory cell during a write operation. The write driver is also configured to float the bitline to mask the bit during a read operation. In an example, the write driver may use NMOS pullup transistors.
(FR) L'invention concerne un appareil pouvant être un circuit de mémoire Le circuit de mémoire comprend une cellule de mémoire. La cellule de mémoire comporte une ligne de bits. Le circuit de mémoire comprend également un dispositif de commande d'écriture. Le dispositif de commande d'écriture est configuré pour amener la ligne de bits à écrire un bit dans la cellule de mémoire pendant une opération d'écriture. Le dispositif de commande d'écriture est également configuré pour laisser flottante la ligne de bits afin masquer le bit pendant une opération de lecture. Dans un exemple, le dispositif de commande d'écriture peut utiliser des transistors NMOS d'excursion haute.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)