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1. (WO2018111268) DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES CONÇUS AVEC UNE FORMATION DE MOTIFS DE MOULE POUR CRÉER DES COMPOSANTS AU NIVEAU DU BOÎTIER POUR DES SYSTÈMES DE COMMUNICATION HAUTE FRÉQUENCE
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N° de publication : WO/2018/111268 N° de la demande internationale : PCT/US2016/066717
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 14.12.2016
CIB :
H01L 23/66 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/04 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01Q 1/22 (2006.01) ,H01Q 9/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64
Dispositions relatives à l'impédance
66
Adaptations pour la haute fréquence
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538
la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
1
Détails de dispositifs associés aux antennes
12
Supports; Moyens de montage
22
par association structurale avec d'autres équipements ou objets
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
9
Antennes électriquement courtes dont les dimensions ne sont pas supérieures à deux fois la longueur d'onde et constituées par des éléments rayonnants conducteurs actifs
04
Antennes résonnantes
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052, US
Inventeurs :
EID, Feras; US
OSTER, Sasha N.; US
KAMGAING, Telesphor; US
DOGIAMIS, Georgios C.; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
(FR) DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES CONÇUS AVEC UNE FORMATION DE MOTIFS DE MOULE POUR CRÉER DES COMPOSANTS AU NIVEAU DU BOÎTIER POUR DES SYSTÈMES DE COMMUNICATION HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé :
(EN) Embodiments of the invention include a microelectronic device that includes a first substrate having radio frequency (RF) components and a second substrate that is coupled to the first substrate. The second substrate includes a first conductive layer of an antenna unit for transmitting and receiving communications at a frequency of approximately 4 GHz or higher. A mold material is disposed on the first and second substrates. The mold material includes a first region that is positioned between the first conductive layer and a second conductive layer of the antenna unit with the mold material being a dielectric material to capacitively couple the first and second conductive layers of the antenna unit.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent un dispositif microélectronique qui comprend un premier substrat ayant des composants radiofréquence (RF) et un second substrat qui est couplé au premier substrat. Le second substrat comprend une première couche conductrice d'une unité antenne pour émettre et recevoir des communications à une fréquence d'environ 4 GHz ou plus. Un matériau de moule est disposé sur les premier et second substrats. Le matériau de moule comprend une première région qui est positionnée entre la première couche conductrice et une seconde couche conductrice de l'unité d'antenne, le matériau de moule étant un matériau diélectrique pour coupler de manière capacitive les première et seconde couches conductrices de l'unité d'antenne.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)